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微电子产品、计算机软硬件、计算机系统集成、电信设备、手持移动终端的研发;委托加工生产、销售自行研发的产品;技术转让、技术服务;货物进出口、技术进出口、代理进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。)

公司主要业务为存储器、微控制器和传感器的研发、技术支持和销售。按照《国民经济行业分类》(GB/T 4754-2017),公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”(代码:6520)。公司产品广泛应用于工业、消费类电子、汽车、物联网、计算、移动应用以及网络和电信行业等各个领域,助力社会智能化升级。

2024年,集成电路行业在历经两年调整后呈现复苏态势,根据研究与咨询公司Gartner发布的初步统计结果,2024年全球半导体行业收入达到6,260亿美元,较2023年大幅增长18.1%,创下历史新高,且预计2025年市场规模将进一步扩大至7,050亿美元。在行业增长结构上,呈现出明显的“结构性分化”特征:一方面,数据中心、AI芯片、主流存储市场迎来爆发式增长;另一方面,消费电子需求相对疲软。

公司在产品线规划、下游应用领域扩展、市场区域开发等方面,坚持多元化布局。首先,公司业务是多赛道多产品线的组合布局。公司持续推动新产品线的落地,旨在不断夯实系统技术基石,并通过产品与应用的协同效应,实现系统融合与联动的动力,即以系统控制为核心,将存储、传感、电源、信号链等周边元器件整合集成,以围绕产品组合打造整体解决方案的方向发展。第二,公司不断开拓新的应用领域,从消费市场走向工业、汽车市场,不断拓展、稳步前进。第三,公司持续深耕国内市场,保持国内市场领先地位,同时依托多年的海外布局,公司品牌影响力持续提升,公司海外本地化销售和服务团队不断完善,积极开拓海外市场,实现多元化市场区域布局。

公司为国内推出首款容量高达2Gb、高性能的SPINORFlash系列产品及首款国产超高速8通道SPINORFlash产品的厂商,并持续保持技术和市场的领先优势,针对不同应用市场需求分别提供大容量、高性能、高可靠性、高安全性、低功耗及低电压、小封装等多个系列产品。在汽车领域,公司SPINORFlash车规级产品2Mb~2Gb容量已全线铺齐,为市场提供全国产化车规级闪存产品。

公司自成立以来,始终高度重视优秀人才储备,积极推行并落实管理梯队的年轻化战略,汇聚了一支充满活力、敢于自我挑战和不断超越自我的半导体领域精英团队。通过多元化的内外部培养机制,不断提升团队凝聚力和管理水平,确保公司始终处于行业前沿。

2017年9月5日公告,公司拟与国内某大型集成电路芯片代工企业签署《战略合作协议》,该协议为供货合作协议,合同标的为原材料晶圆,合同金额:至2018年底采购金额为12亿元或以上。公司2016年总营收14.9亿元。

2017年02月13日公告,公司拟以发行股份及支付现金的方式收购北京矽成100%股权。其中发行股份支付对价为455,000.00万元,现金支付对价为195,000.00万元。同时,公司拟募集配套资金203,000.00万元。北京矽成的主营业务为提供高集成密度、高性能品质、高经济价值的集成电路存储芯片的研发、销售和技术支持,以及集成电路模拟芯片(ANALOG)的研发和销售。本次交易系对集成电路产业同行业公司的产业并购,旨在整合境外优质的存储芯片设计领域资产,使公司由一家国内领先、国际知名的闪存芯片供应商转变为国际领先的全品类存储芯片供应商,有助于做大做强我国集成电路存储产业。

公司拟在原有NORFlash的基础上,研发90nm、65nm和45nm工艺节点的NORFlash,丰富公司的NORFlash产品线。本项目需建设一个434平米左右的研发基地,主要为芯片研发实验室,其主要用作NORFlash的技术改造、研发、测试新的NORFlash产品。主要设备包括开发PC机、工作站和EDA开发工具、版本管理软件、高速示波器、频谱分析仪、信号源等软硬件设备。本项目将缩小芯片面积,提高单位晶圆上的芯片数量,降低制造成本和功耗。在电路设计方面,提高时钟频率设计,对芯片电路及布局进行优化,使用独特的块技术提升单位面积的容量。项目建设期为三年。项目计划总投资16,018.17万元,其中工程费用2,846.92万元,工程建设及其他费用7,721.25万元,预备费750.00万元,铺底流动资金4,700.00万元。项目年均可实现营业收入38,153.20万元、利润总额4,057.90万元、净利润3,429.54万元、内部收益率34.95%、投资回收期为4.59年、投资利润率为21.41%。

通过本项目,研发3X/2Xnm及以下先进制程NANDFlash技术,设计开发功能和性能强大的NANDFlash系列芯片及综合应用解决方案。产品主要服务于小容量快闪存储器芯片市场,同时兼顾eMMC、SSD等应用市场,满足智能化产品和大容量市场需求。本项目的成功实施,将实现国内闪存芯片设计企业在NANDFlash领域的突破,部分技术达到国际领先水准。本项目需购置一处909平米左右的研发基地,主要为相关实验室,具体为芯片研发实验室、硬件研发实验室和软件研发实验室。芯片研发实验室用于NANDFlash芯片的技术改造、开发、测试NANDFlash芯片;硬件研发实验室用于NANDFlash硬件解决方案的技术改造,核心模块的电路设计、仿真、测试;软件研发实验室用于芯片产品软件算法开发。项目建设期为三年。项目计划总投资20,358.52万元,其中工程费用3,749.40万元,工程建设及其他费用11,659.12万元,预备费750.00万元,铺底流动资金4,200.00万元。项目年均可实现营业收入25289.11万元、利润总额3213.81万元、净利润2569.87万元、内部收益率20.13%、投资回收期为5.22年、投资利润率为12.62%。

本项目的主要建设内容包括MCU芯片及不同应用领域接口软件的开发。在现有产品线基础上,开发55nm及以下工艺节点MCU芯片,完善和补充110nm工艺MCU系列产品;围绕MCU芯片在不同应用领域需求,开发相应的接口软件程序。本项目需建设一个723平米左右的研发和产业化基地,包括芯片研发实验室、硬件研发实验室和软件研发实验室。项目建设期为三年。项目计划总投资11995.47万元,其中工程费用2607.40万元,工程建设及其他费用6148.07万元,预备费840.00万元,铺底流动资金2400.00万元。项目年均可实现营业收入7,547.64万元、利润总额2,394.56万元、净利润1,960.80万元、内部收益率27.03%、投资回收期为5.05年、投资利润率为16.35%。

为面向下一代存储器前沿技术开展研究工作,缩小与国际一流厂商的技术差距,填补国内相关技术研发的空白,降低公司产品大规模测试的设备成本,项目拟在公司现有技术部门的基础上,建设研发中心、增加相关研发设备、储备相关基础技术。本项目主要建设包括新型非易失性存储器实验室、下一代NANDFlash存储器实验室、下一代存储器测试技术实验室在内的三个主要实验室。基于未来发展战略和技术布局,研发中心将重点承担三个研发方向,每个研发方向由若干待突破的核心技术组成。项目建设期为两年。项目总投资3280.77万元,其中工程费用1,210.00万元、工程建设及其他费用1,760.77万元、预备费100.00万元、铺底流动资金300.00万元。本项目立足于前沿技术、基础技术的开发和储备,不直接产生经济效益,其重要意义在于其覆盖了公司中长期各阶段基础研究的重点,对于提高公司市场竞争力具有重要战略意义。

公司利润分配可采取现金、股票、现金股票相结合或者法律许可的其他方式;在有条件的情况下,公司可以进行中期现金利润分配。具备现金分红条件的,公司应当采用现金分红进行利润分配。采用股票股利进行利润分配的,应当考虑公司成长性、每股净资产的摊薄等真实合理因素。在满足公司正常生产经营的资金需求情况下,如公司外部经营环境和经营状况未发生重大不利变化,且当公司当年可供分配利润为正数时,公司每年以现金形式分配的利润不少于当年实现的可供分配利润的20%,且此三个连续年度内,公司以现金方式累计分配的利润不少于该三年实现的年均可分配利润的60%。当公司当年可供分配利润为正数时,公司可以采用股票股利方式进行利润分配;每次分配股票股利时,每10股股票分得的股票股利不少于1股。

公司实际控制人朱一明承诺:本人所持公司股票扣除公开发售后(如有)的部分自公司上市之日起三十六个月内,不转让或委托他人管理,也不由公司回购该等股份。

公司上市后三年内,当公司股票连续20个交易日收盘价低于最近一期公开披露财务报告每股净资产时,则公司将通过公司回购股票、公司实际控制人增持公司股票、董事(不含独立董事)、高级管理人员增持公司股票等方式稳定公司股价。