☆经营分析☆ ◇688498 源杰科技 更新日期：2026-03-26◇
★本栏包括 【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.经营投资】【4.参股控股企业经营状况】
【1.主营业务】
光芯片的研发、设计、生产与销售。
【2.主营构成分析】
【2025年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜光芯片 ｜ 60080.71｜ 34936.63｜ 58.15｜ 99.90｜
｜其他业务 ｜ 62.75｜ 11.21｜ 17.87｜ 0.10｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜数据中心类及其他 ｜ 39433.75｜ 28500.17｜ 72.27｜ 39.60｜
｜数据中心类产品 ｜ 39325.78｜ 28397.91｜ 72.21｜ 39.49｜
｜电信市场类产品 ｜ 20646.96｜ 6436.46｜ 31.17｜ 20.73｜
｜其他类产品 ｜ 107.97｜ 102.26｜ 94.71｜ 0.11｜
｜其他业务 ｜ 62.75｜ 11.21｜ 17.87｜ 0.06｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 59889.25｜ 34800.17｜ 58.11｜ 99.58｜
｜境外 ｜ 191.45｜ 136.46｜ 71.27｜ 0.32｜
｜其他业务 ｜ 62.75｜ 11.21｜ 17.87｜ 0.10｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销 ｜ 53677.80｜ 32800.75｜ 61.11｜ 89.25｜
｜经销 ｜ 6402.91｜ 2135.88｜ 33.36｜ 10.65｜
｜其他业务 ｜ 62.75｜ 11.21｜ 17.87｜ 0.10｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2025年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜数据中心类及其他 ｜ 10460.17｜ 6987.75｜ 66.80｜ 51.04｜
｜电信市场类 ｜ 9987.35｜ 3012.10｜ 30.16｜ 48.73｜
｜其他业务 ｜ 47.57｜ 1.35｜ 2.84｜ 0.23｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 20469.53｜ 9984.31｜ 48.78｜ 99.88｜
｜境外 ｜ 25.56｜ 16.89｜ 66.09｜ 0.12｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜光芯片 ｜ 25034.22｜ 8394.17｜ 33.53｜ 99.27｜
｜其他业务 ｜ 183.05｜ 8.36｜ 4.57｜ 0.73｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜电信市场类 ｜ 20230.39｜ 4981.73｜ 24.62｜ 80.22｜
｜数据中心及其他 ｜ 4803.83｜ 3412.44｜ 71.04｜ 19.05｜
｜其他业务 ｜ 183.05｜ 8.36｜ 4.57｜ 0.73｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 25010.48｜ 8376.30｜ 33.49｜ 99.18｜
｜其他业务 ｜ 183.05｜ 8.36｜ 4.57｜ 0.73｜
｜境外 ｜ 23.74｜ 17.87｜ 75.28｜ 0.09｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销 ｜ 17585.08｜ 6556.52｜ 37.28｜ 69.73｜
｜经销 ｜ 7449.14｜ 1837.65｜ 24.67｜ 29.54｜
｜其他业务 ｜ 183.05｜ 8.36｜ 4.57｜ 0.73｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜电信市场类 ｜ 10966.64｜ 3289.02｜ 29.99｜ 91.27｜
｜数据中心类及其他 ｜ 922.26｜ 715.54｜ 77.59｜ 7.68｜
｜其他业务 ｜ 126.98｜ 10.73｜ 8.45｜ 1.06｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 11996.90｜ 4001.73｜ 33.36｜ 99.84｜
｜境外 ｜ 18.98｜ 13.56｜ 71.44｜ 0.16｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【3.经营投资】
【2025-12-31】
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司
的主要产品为光芯片，主要应用于电信市尝数据中心市尝车载激光雷达市场等领域
。其中电信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，公司主要产
品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产
品和50mW、70mW、100mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动
通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激
光雷达激光器芯片等产品。
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和
测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作
、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全
流程自主可控的生产线。
通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应
商，逐步发展成为国内领先的“电信市场+数通市潮协同拓展的光芯片供应商。公
司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
1、2.5G、10G、25G、50G、100G、200G代表激光器芯片的传输速率；CWDM、LWDM、
MWDM代表可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4代表可应用于PAM4脉冲调制技
术的激光器芯片；
2、报告期内，公司主要向客户销售激光器芯片，但为满足部分客户需求，公司会
将激光器芯片封装后进行销售。
(二)主要经营模式
1、销售模式
公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产
品推广以及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收
到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作
，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。
新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售
部根据客户需求先与其进行深度技术交流，研发中心在此基础上进行产品设计、材
料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品
送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在多批次生产
合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理
开发等方式寻求新客户。
2、采购模式
每月月末，采购部根据生产与运营部提报的次月生产计划及安全库存数据，制定配
套的生产原物料采购计划（含需求预测）。采购员依据该计划向合格供应商下达采
购订单（PO），明确技术规格、交货周期及相关合作条款；同时通过搭建供应商管
理库存（VMI）机制，保障关键物料供应稳定。
进料检验工作由IQC部门负责，该部门严格依据可接受质量水平（AQL）标准开展检
验，并运用统计过程控制（SPC）方法监控物料关键质量特性，最终出具的检验分
析报告（COA），是物料入库放行的核心依据。物料到货后，由仓管科核对到货单
与采购订单的物料数量；财务部负责执行采购款项的最终结算工作。
研发、厂务、行政等非生产部门，需结合公司经营需求制定各自采购计划，提前提
交采购部审核，审核通过后由采购部统一组织采购。
在供应商管理层面，公司已建立健全的供应商认证及全生命周期管理流程：对新供
应商开展资质评估与实地考察，对其提供的样品进行严格验证，通过评审的供应商
纳入《合格供方名单》。同时，公司对供应商实施动态绩效考核与分级管理，按需
推进物料替代方案管理及供应商稽核工作，确保采购质量符合ISO9001/14001体系
要求，采购活动全面达成质量、成本、交付、服务、环保（QCDS）综合目标。
3、生产模式
公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心
技术，拥有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的
IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高
效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。
公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计
划。公司根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库
存的适度水平，减轻生产压力。
4、研发模式
公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发中心《
设计和开发控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：
立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）、研发转生产
培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶
段，具体如下：
（1）立项阶段
市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书
》，并提交市场与销售部、研发中心及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项
目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险
预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。
（2）设计输入输出阶段
项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术
参数、工艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及
对应的控制措施等。
研发中心根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺
指导文件与流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶
段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户
需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新
输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下
一阶段。
研发中心根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶
段针对产品稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求
，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应
指导文件，从上一阶段的工程验证测试（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通
过验证。
（5）研发转生产培训考核阶段
研发转生产培训考核阶段，研发中心提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺
标准指导书、工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，
并根据需求对生产线相应的人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。
批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，
评估产线产能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力
后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中
，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应
指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业的发展阶段及基本特点
随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进
一步广泛应用。在这种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加
，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。目前在电信市尝数据
中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为光纤接入
和移动通信两个细分领域。
电信市场：5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：
截至2025年底，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.91亿户，全
年净增2,099万户。1000Mbps及以上接入速率的用户为2.38亿户，全年净增3,157万
户，占总用户数的34.5%，占比较上年末提高3.6个百分点。截至2025年底，固定互
联网宽带接入端口数达到12.51亿个，比上年末净增4,877万个。其中，光纤接入（
FTTH/O）端口达到12.1亿个，比上年末净增5,030万个，占比由上年末的96.5%提升
至96.8%。截至2025年底，具备千兆网络服务能力的10GPON端口数达3,162万个，比
上年末净增341.9万个。在无线通信领域，5G网络建设覆盖持续深化。截至2025
年底，全国移动电话基站总数达1,287万个，比上年末净增22.7万个。其中，4G基
站为719.2万个，比上年末净增8万个。5G基站为483.8万个，比上年末净增58.8万
个，5G基站占移动电话基站总数达37.6%，占比较上年末提升4个百分点。其中，具
备5GRedCap接入能力的基站数达206.4万个，占5G基站的42.7%。随着无线和光纤接
入部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步开始布局。光纤接入领域开始向“万兆”
加速。作为ITU-T定义的下一代PON技术，50GPON比10GPON带宽提升了5倍、时延降
低了100倍，具备提供确定性业务体验的能力。万兆光网试点逐步落地，拉动了50G
PON的市场需求。同时，由于5G-A在网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升
，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人联
、物联、车联、高端制造、感知等场景，运营商也逐步推进其商用部署或组网试点
。相关技术的成熟与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。整体来看，电信市
场需求具有较强的稳定性和持续性，其建设节奏会受到技术迭代升级等因素的影响
。
数据中心市场：随着AI技术规模化落地、大模型迭代及新兴应用爆发，算力需求指
数级攀升，驱动数据中心高速率光模块需求爆发式增长。2025年后，国内外CSP加
速AI基础设施投资，光模块出货量激增同时拉动光芯片需求。速率方面，2025年1.
6T光模块已批量出货，2026年迈入商业化爆发期。算力提升推动业界对光模块功耗
、散热、成本要求更严苛，低功耗、小型化、集成化成为核心发展主线。技术上，
硅光技术在高速率模块中渗透率快速提升，拉动了光芯片领域CW产品的需求增长；
CPO、NPO等新型的封装技术持续推进，成为光互联领域新增量。由于光互联的需求
增长，当前光芯片存在短期产能缺口。整体而言，AI是光模块（光芯片）行业核心
驱动力，增长确定性强。
(2)主要技术门槛
面向更高速率、更高功率、更长传输距离需求的光芯片，其技术研发与工艺设计面
临着极高的开发难度和行业门槛。首先，随着市场对光芯片性能需求的持续提升，
芯片结构设计的精度要求已达到极高标准，其技术研发与工艺开发需深度融合高速
射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多个前沿学科
，通过多维度技术协同，设计出兼具精度与尺寸要求的芯片结构，任何单一学科技
术的短板都将制约研发进程。其次，生产工艺的高稳定性与高成熟度门槛。激光器
芯片的生产流程极为复杂，需历经几十至几百道精密工序，每一道工序的参数偏差
、操作误差都将直接影响产品最终的光电性能与长期可靠性，这就对生产线的工艺
成熟度、流程稳定性以及过程管控能力提出了严苛要求，需实现全流程的精准把控
，门槛显著高于普通半导体器件。此外，高速率产品的关键结构开发壁垒尤为突出
。相较于中低速率光芯片，高速率激光器芯片需在量子阱有源区、光栅层结构区、
模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜
等多个关键结构的设计与开发中，综合平衡光电特性、产品可靠性与制备工艺可行
性等相互制约的核心因素，既要保障各结构的独立性能达标，又要实现整体协同适
配，进一步提升了技术开发的难度与行业壁垒。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和
测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作
、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全
流程自主可控的生产线。通过研发、市尝服务、产品等多个维度的协同发展，公司
已经获得国内客户的认可，并从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展国内
领先的“电信市场+数通市潮协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行
业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
在电信市场中，目前所需的2.5G、10G激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波
段产品应用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发
散角更孝抗反射光能力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品
，同时提供更低成本的集成方案，实现差异化竞争；25G/50GPON接入网对光芯片的
要求也将进一步提升，大功率、低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术
门槛，公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台，适配高速接入网的需
求，使公司能够快速满足下游客户25G/50GPON的需求，研发出满足客户需求的光芯
片产品，在下一代高速PON需求迭代过程中确保行业地位。
在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了400G/800G、1.6T或以
上高速光模块的需求增加，进而带动了高速率、大功率的芯片需求，比如主要为10
0GPAM4EML光芯片、70mW、100mW大功率激光器等。目前数据中心市场仍以海外供应
商为主。公司基于多年在光芯片领域的研发和生产积累，已推出相应的高速EML、
大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的CWDM、LWDM需求，来适配相关的高速
光模块的需求，且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。目前，公司在AI数
据中心市场实现销售突破。尤其是硅光模块解决方案所需的全系列大功率CW激光器
产品，2025年面向高速可插拔硅光模块的CW芯片产品已实现大批量的出货，奠定了
公司在该领域较为领先的行业地位。同时，人工智能的发展导致数据中心领域光互
联的技术迭代较快，更高速率、不同封装方式的需求均在快速发展，公司目前在数
据中心领域实现了光芯片大批量出货的基础，相关技术、商务、产能储备处于行业
领先地位，这些因素将有助于公司把握新一代的需求，巩固行业地位。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）硅光技术已成为算力场景降本增效的核心方案，渗透率持续加速提升
降本、降功耗、增效仍是全球算力发展的核心诉求，尤其随着AI大模型向万亿参数
级迭代，算力需求爆发式增长，直接推动光模块速率与数量需求激增，进一步凸显
硅光技术的核心优势，客户接受度已实现实质性提升，成为行业主流选择之一。硅
光子技术基于硅和硅基衬底材料，依托现有CMOS工艺实现光器件的开发与集成，契
合光模块规模化、低成本生产需求，适配AI数据中心短距高带宽场景的核心需求，
相较于传统方案可实现功耗降低与更高的集成度。从当前渗透率来看，硅光方案在
400G/800G/1.6T光模块中已形成规模化应用，且头部厂商硅光方案占比持续提升。
在硅光方案中，CW激光器芯片作为外置核心光源，硅基芯片承担速率调制功能。未
来，CW大功率激光器芯片的性能要求进一步提高，需同时具备更大功率、高耦合效
率、宽工作温度的核心指标。
（2）关注CPO、NPO等新技术的演进
随着单通道速率提升，电链路距离越长损耗越大，需要将光引擎更靠近交换芯片。
因此，CPO/NPO等新一代封装技术缩短了交换芯片和光引擎之间的距离，从而帮助
电信号在芯片和引擎之间更快地传输，减少尺寸，提高效率，降低功耗。从技术路
径来看，以CPO交换机为例，其中CW光源单颗价值量与功率需求均持续提升，进一
步带动大功率CW激光器芯片需求增长。在应用场景上看，CPO/NPO在柜内的应用，
也将带来新的需求增长。但目前CPO/NPO仍面临成本、解耦程度低、产业不成熟等
问题，仍需产业链上下游协同发力突破。
（3）光芯片下游应用市场不断拓展
光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被
用作传感器，能够检测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域
，随着传统乘用车的电动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心
传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的
光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求将会不断增加。
二、经营情况讨论与分析
1、主要经营情况
2025年，公司实现营业收入60,143.45万元，同比增加138.50%；实现归属于上市公
司股东的净利润19,092.40万元，同比扭亏为盈。公司的电信市场业务实现收入20,
646.96万元，较上年同期增加2.06%。公司的数据中心业务实现收入39,325.78万元
，较上年同期上升719.06%。
报告期内，电信市场业务基本保持平稳，公司进一步优化产品结构，在原有2.5G、
10GDFB光芯片的基础上，加大10GEML产品的客户推广。面向下一代25/50GPON网络
的光芯片产品实现批量交付并形成了规模收入，产品技术指标对标国际厂商。电信
市场中，EML产品已经成为重要的收入组成部分之一。
报告期内，在人工智能技术发展持续拉动光芯片需求增长的背景下，公司基于技术
积累和产品性能，优化资源配置，提升资源投入效率和经营质量，数据中心领域销
售额实现大幅度增长，收入占比超过50%，成为公司重要的收入来源。主要产品是
硅光方案所需的大功率CW激光器芯片。该芯片要求同时具备大功率、高耦合效率、
宽工作温度的性能指标，对激光器芯片无论从设计、生产制造工艺以及测试稳定性
提出更高要求。公司基于多年在DFB激光器领域“设计+工艺+测试”的深度积累，
针对高速光模块需求，CW70mW激光器芯片批量出货，该产品是数据中心业务的主要
产品。同时，在市场端加强了商务拓展，逐步进入更广泛的客户供应链。
报告期内，数据中心产品毛利率水平高于电信市场，上述因素推动公司收入及利润
实现增长。电信业务板块经营情况基本保持稳定。
整体来看，公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握AI发展带来的数据中心市
场机遇，加速完成“电信+数通”双轮驱动的高端光芯片解决方案供应商的转型。
2、技术与研发情况
电信市场领域，对原有的2.5G、10G的DFB、EML产品持续加强生产过程管控，借以
提升产品的良率和稳定性。随着无线和10GPON光纤接入部署逐步进入成熟期，行业
需求增长放缓。公司在此背景下，积极配合海内外设备商提前布局下一代25G/50GP
ON所需DFB/EML产品，此应用需根据不同的上下行要求对应不同芯片规格，公司具
备和客户一同推进方案开发的先发优势，在良好的产品匹配度下，已实现批量发货
，为把握未来电信市场增长机遇奠定了坚实的基矗
数据中心领域，随着人工智能的快速发展，光模块正加速向高速率演进，逐步从40
0G/800G向1.6T等更高速率发展。报告期内，公司的CW70mW激光器产品实现大批量
交付，并逐步优化工艺水平。该产品采用非制冷设计，具备高功率输出和低功耗特
性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增长极。公司推出的CW100mW激光器
产品，在同样具备高可靠性的前提下，报告期内也实现批量交付。2025年，公司在
可插拔的硅光光模块领域，以70mW的光源需求为主。公司的高速EML产品，在100GP
AM4EML产品完成客户验证的基础上，更高速率的200GPAM4EML产品也开始推进客户
验证。
与此同时，CPO/NPO等新型封装技术通过高度集成实现了更高的带宽密度和更低的
功耗，被视为1.6T及以上速率的解决方案之一。公司瞄准这一机遇，研发了300mW
等更高功率的CW光源，目前正在进一步了解客户需求来完善产品的相关研发工作。
针对OIO领域的CW光芯片需求，公司已开展相关预研工作。
3、人才建设情况
人才是公司的核心，公司持续推进人才队伍建设，在业务拓展的同时，注重人才引
进和培养。公司通过校园招聘、社会招聘、内部推荐及晋升等多种渠道，积极引进
行业资深人员与优秀毕业生，2025年度员工人数稳步增长，为市场拓展和业绩提升
提供了有力保障。同时，公司致力于为员工提供公平、公正的竞争环境与可持续发
展平台，重视现有员工的培训与能力提升，加强专业技能和综合素质培养，结合内
部晋升机制，为优秀、高潜员工提供成长通道，持续优化人才结构，以适应公司业
务发展需要。通过持续的人才储备，为公司长期发展巩固基矗
4、生产制造方面
公司采用全流程自有工艺进行激光器芯片制造，涵盖外延生长、光刻、刻蚀、薄膜
沉积、测试等关键步骤。公司在生产制造方面着力于产能的提升和自动化的升级改
造。为满足光通信高速增长的市场需求，2025年，公司持续增加晶圆工艺、芯片工
艺设备的采购，扩大产能。依托人工智能的高速发展，随着公司规模扩大及单一产
品产量稳定，为自动化生产线搭建提供前提条件。报告期内，公司持续推进设备升
级，制程优化，提升生产效率；持续加大自动化生产和智能制造系统的投入，优化
工艺参数，以提高良率，并降低生产成本。公司联合设备厂家开展生产设备自动化
定制化开发，攻克设备协议接口统一、不同厂家设备信号统一等技术难点，有效提
升了自动化水平，并有效降低了因人员操作差异、设备状态波动导致的质量波动，
从而保障了产品的一致性。同时，公司强化关键原材料、关键设备的采购管理，加
强与上游供应商的合作，降低供应链风险，并进一步完善全球的产能布局。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术积累与研发优势
公司是光芯片领域的高新技术企业。光芯片行业具有较高的技术壁垒，产品的迭代
更新需要深厚的芯片设计经验和制造工艺经验，迭代过程中需要对芯片结构、材料
特性、制造工艺、生产设备等开展大量创新性的工作，才能够保证良好的产品特性
及可靠性。公司自成立以来一直致力于光芯片的研发、设计、生产与销售，自主打
造晶圆生产线，购置配套专业生产设备，培养专业人才，经过长期研发投入积累一
系列核心技术。同时，公司持续增加研发投入，在现有研发积累的基础上，通过扩
大升级研发实验室、材料科学实验室，优化研发环境及引进一批先进的研发、生产
、检测设备和专业技术人才，提升整体研发能力。公司以市场发展的趋势为导向，
及时调整原产品迭代升级与新产品的技术预研方向，使产品持续跟随市场发展趋势
。
在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进
、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员
的工作热情。公司建立了多层次的研发体系，培养了大批基础扎实、技术一流的芯
片设计及制造的工程技术人员，同时不断吸纳高质量人才的加入，不断提升技术团
队的自主创新能力和技术水平。
2、客户资源优势
公司的光芯片产品的特性、可靠性、批量供货能力经过了下游客户的长期验证，得
到了客户的高度认可。公司已在市场上树立了质量可靠、服务完善的良好品牌形象
，同时也在国内外市场开拓了众多的直接或间接优质客户。光芯片产品在下游客户
的导入需经过较长的验证过程，公司率先进入了国内外客户的供应体系，建立了较
高的客户资源壁垒，为公司的持续发展建立了良好的市场基矗
3、产品结构优势
公司产品广泛应用于光纤接入、移动通信、数据中心、车载激光雷达等领域。下游
不同场景、不同客户对光芯片产品的性能指标有诸多差异化需求。公司目前产品包
括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G光芯片产品、CW光源、车载激光雷达光源等
产品，多元化的产品体系可以发掘更多市场需求，更好的满足客户需求，打开更广
阔的市场空间。
4、人才团队优势
公司以顶尖人才引领技术突破，以智能制造保障质量稳定，以全球视野定义行业标
准，经过在光芯片行业的多年深耕，已培养一批与公司高度粘合、拥有丰富技术开
发经验的精英团队，拥有深厚的理论基础和技术储备，持续攻坚克难，不断实现技
术创新与突破。同时，公司选派优秀工程师赴美国、德国等进行技术交流，让员工
在新鲜挑战中加速职业成长。
同时，为确保技术攻关与稳定生产的双重能力，公司不断加大投入自动化生产线，
培养骨干工人转型为操控、维护智能设备的“新工匠”，不断提升效率，提升产能
，最终实现“技术领先-质量可靠-交付高效”的良性循环。
5、生产制造优势
公司十年来积累了丰富的生产管理经验、较强的产品质量控制能力，并形成了一定
的产业规模，在生产方面具有一定的技术先发优势与规模优势。在先进的外延生长
与芯片制造方面，公司具备高精度的外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺，确保芯片性
能。在自动化生产方面，为了进一步满足国内外大客户的需求，公司进一步优化了
智能制造系统，加强了产线的自动化水平，提升生产效率，确保产品品质的稳定性
。在规模化制造与成本控制方面，公司生产设备已具备大功率激光器、DFB激光器
、EML激光器等产品的生产制造能力，并且多数设备可以实现不同产品生产制造即
时切换，实现互相备份，充分保证和响应客户的不同需求生产交付，并优化生产材
料供应体系，确保长期供应，降低原材料波动带来的影响。在先进封装与测试方面
，公司具备全自动化封装与测试生产线，提升产品一致性和交付能力。同时公司的
全球化产能布局，有利于减少外部因素对产品交付的潜在影响。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措
施
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）核心技术的情况
（2）核心技术的先进性
1）高速调制激光器芯片技术，实现高速激光器芯片的规模化生产
移动通信网络与数据中心数据高速传输的需求，要求激光器芯片调制速率提升至25
G及以上。高速调制激光器的开发难点在于对有源区量子阱进行高速应用设计、纳
米级精度的外延生长技术与高速芯片谐振腔的设计。
公司高速调制激光器芯片技术完成以下难点开发：①通过理论计算，建立结构模型
，进行高度专业化仿真，以完成高速芯片结构设计，有效减少试错成本与开发周期
；②有源区晶圆外延工艺参数匹配调试；③高速应用之相移光栅工艺条件开发验证
；④各项高速验证指标评测系统搭建。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同
时，解决高速晶圆外延精度问题、芯片高温环境运行可靠性、寄生电容限制芯片高
速特性等技术难题，突破了高速激光器芯片产品的技术瓶颈，有助于实现25G、50G
PAM4DFB激光器芯片的规模化、高质量、低成本的生产制造。2020年，公司凭借25G
MWDM12波段DFB激光器芯片，成为满足中国移动相关5G建设方案批量供货的厂商。
2）电吸收调制器集成技术，实现100G/200GPAM4EML激光器芯片的海外技术领先
目前国际先进的100GPAM4EML激光器芯片采用电吸收调制器集成技术，其将DFB激光
器芯片技术与电吸收调制器芯片技术进行集成，以此突破高速瓶颈。电吸收调制器
集成技术的开发难点在于，集成大功率DFB激光器芯片和高速调制器于同一芯片，
在不同区域分别实现发射光源和高速调制的功能。如集成设计及生产过程不合宜，
会导致对接介面缺陷、晶向失配等材料缺陷问题，影响产品的可靠性。在此基础上
，公司迭代开发出200GPAM4EML产品，成果展示于2025年OFC研讨会上，成为国际少
数在此产品技术领先的光芯片制造商。
公司电吸收调制器集成技术完成以下技术突破：①分别设计发射光源区与调制区的
晶圆量子阱结构，实现功能独离优化；②光波导光路计算与仿真；③异质波导有源
区外延工艺技术开发；④芯片高频寄生电容优化；⑤大功率发射光源与高速调制器
低损耗对接技术。公司凭借该技术，设计定型了100G/200GPAM4EML激光器芯片，打
破海外领先光芯片企业垄断的局面，实现海外技术领先，为公司长期发展提供技术
保障。
3）异质化合物半导体材料对接生长技术，实现高温、大电流工作环境中高速激光
器芯片产品的高可靠性
速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中，量子阱发光区一般使用铝铟镓砷（A
lInGaAs）等复合化合物半导体材料，因该材料在空气中易氧化，导致芯片在高温
工作环境中快速裂化失效，极大限制终端室外通信设备的可靠性。
公司异质化合物半导体材料对接生长技术完成以下难点开发：①异质化合物半导体
材料光波导设计与仿真；②异质化合物半导体材料对接生长晶圆外延工艺参数匹配
调试；公司利用较稳定的化合物半导体材料进行异质半导体材料对接生长，降低半
导体材料在制程时曝露空气产生缺陷的概率，从根本上解决可靠性劣化问题。公司
该项技术开发难度极高，提供了产品劣化解决方案，实现高速率激光器芯片的高可
靠性，使得产品成功用于国内外大型通信设备商，并最终应用于中国移动、中国联
通、中国电信等国内外知名运营商网络中。
4）非气密环境下光芯片设计与制造技术，实现客户拓展至数据中心市场
数据中心的应用场景中，客户持续降低成本的需求，促使光模块厂商采用非气密设
计。该设计方案下，光芯片易受到水和氧气侵蚀，导致性能失效，因此，对光芯片
高温高湿耐受能力要求极高。非气密环境下光芯片设计与制造技术开发难点在于高
温高湿环境失效机理研究、钝化膜材料选择、集成工艺等。
公司非气密应用芯片结构技术完成以下技术突破：①抵抗高温、高湿的光学镀膜材
料和设计方案；②多种材料的实验与理论验证；③激光器芯片的高温高湿环境模拟
与测试系统；④多层光学膜与钝化膜的设计与集成制造。公司凭借该项技术，实现
高速激光器芯片在高温、高湿环境下的长期可靠工作，成功实现向大型数据中心客
户的批量供货，将产品的应用场景延伸至数据中心。
5）相移光栅技术，实现非周期光栅制作
光通信要求光信号在传输过程中不失真，因此激光器芯片的信噪比指标非常重要。
信噪比代表主信号与背景噪声的比值，信噪比越大代表主信号占优势，能顺利将信
息传递而不受噪声干扰。相移光栅技术是改善激光器芯片信噪比的重要技术，相移
光栅具备优异的单模光输出性能（光的单色性、光的纯度），能够提升主信号的比
值，减小噪声的影响。该技术近年来被大量应用于高端高速光芯片，已成为行业中
高度认可的制造高速激光器芯片必须技术之一。传统的光栅技术通过全息系统实现
，但仅能够制作等周期间距的光栅，无法制作特殊非等周期的光栅结构。相移光栅
技术的开发难点在于光栅相移量的理论设计非常繁杂，涉及光和电的综合知识，此
外搭建相移光栅制作系统需花费大量的开发时间与资金成本。
公司相移光栅技术完成以下难点开发：①建立理论模型，进行高度专业化仿真，完
成10G/25G/50G芯片光栅设计；②电子束光栅设备的投资与操作技术开发；③相移
光栅工艺条件开发验证；实现制作特殊相移光栅技术。公司将该技术成功应用于所
有激光器芯片中，大幅提升了产品良率与性能指标。
6）大功率激光器芯片技术，开发下一代高速光模块用大功率激光器芯片
高速数据中心市场中，800G、1.6T及更高速率光模块代表行业最先进的技术，其要
求使用的激光器芯片直调速率达到100G及以上，已成为直调激光器芯片设计与制作
的极限。硅光子集成技术成为400G、800G、1.6T及更高速率光模块的解决方案，其
要求激光器芯片发射光源耦合到硅基材料的波导中，但存在不同材料间光源的耦合
效率低、光传输损耗较大的问题。大功率激光器芯片技术能够实现产品的高光功率
输出，弥补光传输损耗问题，其开发难点在于有源区的量子阱设计、外延生长技术
及芯片谐振腔几何结构的设计等。
公司大功率激光器芯片技术完成以下难点开发：①结构设计与理论仿真；②晶圆外
延工艺和光波导设计；③光栅设计与制造；④大功率芯片测试与可靠性评估系统。
公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决光功率在高温下饱和的问题，
成功实现50mW/70mW/100mW大功率激光器芯片的开发。目前，主要为海外头部光芯
片厂商能够提供相关产品，公司将该技术应用于大功率激光器芯片的开发，为行业
内下一代高速光模块的新兴技术提供稳定与高性能的激光器芯片。
7）小发散角技术，降低封装成本并减少进口依赖
光通信系统中，激光器芯片发射出的光信号需耦合到光纤中，才能真正用于通信传
输，因此芯片发光耦合到光纤的效率为下游模块厂商关注的重点。为提升耦合效率
，传统耦合方案中下游模块厂商常采用昂贵的进口耦合透镜，与激光器芯片进行光
模块的封装生产。小发散角技术可以整形激光器芯片发射的光斑，使得芯片输出的
光信号更易耦合至光纤中，从而使得模块厂商采用国产普通耦合透镜，就可封装出
高性能的产品，有效提升了耦合效率，降低了生产成本。
公司小发散角技术完成以下难点开发：①光斑转换器（SSC）光波导设计与仿真；
②光斑转换器光波导工艺制作与开发。公司凭借该技术，以光在波导的传输行为理
论为基础，开发出于有源区以外的光斑转换器结构制作技术，在不牺牲芯片性能前
提下实现小发散角的功能。公司将该技术应用于各类激光器芯片中，在同类产品实
现了差异化竞争，并降低模块厂商对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部
署的供应链安全及成本问题。
8）抗反射技术，降低封装成本并减少进口依赖
光信号在光通信系统传递过程中，如遇到不同段光纤之间的接口或连结器件，容易
形成光反射并沿光纤返回激光器芯片，产生相干效应，引起同调性下降、光路信号
噪音崩溃等问题，影响激光器芯片的性能。传统解决方案为在光模块中的激光器与
光纤接口间额外增加光隔离器，过滤反射光并仅让正向传输的光信号通过，避免反
射光对激光器芯片的影响。光隔离器的核心器件常采用进口的法拉第旋光片，增加
了光模块的尺寸及封装厂的封装难度和成本，也形成了对进口组件的依赖。
公司抗反射技术完成以下技术突破：①抗反射光损耗波导设计与仿真；②反射光损
耗波导外延工艺制作与开发；③芯片级反射光测评系统搭建与开发。公司凭借该技
术，成功开发出有源区出光端集成反射光损耗波导结构制作技术，将隔离器功能集
成于芯片结构中，实现激光器芯片对系统造成的反射光不再敏感。下游模块厂商在
使用公司这类芯片进行模块生产时，可以减少使用昂贵的进口隔离器，降低了封装
成本，以及对进口器件的依赖。
9）掩埋型激光器芯片制造平台，实现高电光转化效率产品的制造
光纤接入应用的大功率2.5G激光器芯片、数据中心应用的大功率激光器芯片，均要
求激光器芯片的高光功率、低电功耗，掩埋型结构的激光器芯片相较于脊波导型激
光器芯片具有更高电光转化效率。掩埋型结构开发难点在于晶圆外延与晶圆刻蚀的
工艺技术开发，需开发者具备成熟与高精度的制造工艺水平。
公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了掩埋型激光器芯片制造平台，积累
的主要技术及生产工艺包括：①晶圆的量子阱外延技术；②晶圆的电流阻挡层外延
技术；③晶圆的台阶刻蚀技术；④晶圆的低缺陷多次外延技术；⑤完整的可靠性验
证与测试。公司凭借此平台制造的大功率2.5G激光器芯片是公司的主要产品之一，
采用该平台成功开发的70mW/100mW大功率激光器芯片也将成为满足目前硅光应用趋
势的产品。
10）脊波导型激光器芯片制造平台，实现高速率产品的制造
目前10G、25G以及更高速激光器芯片通常采用的是脊波导结构。公司通过技术人员
的研发、核心生产人员培训及生产经验积累，解决脊波导结构制造过程中的设计、
工艺与生产等技术和工程问题，实现了高速率芯片的量产，也为更高速率产品的研
发奠定了基矗脊波导型结构开发难点在于需精确控制脊波导尺寸，尺寸控制不佳会
降低电注入效率与产品高速性能。
公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了脊波导型激光器芯片制造平台，积
累的主要技术及生产工艺包括：①高精度电子束光栅曝光系统的生产工艺；②高精
度低缺陷脊波导刻蚀工艺；③针对不同应用的异质结波导技术；④脊波导激光器芯
片的可靠性与高频验证体系。公司凭借该技术，开发了低缺陷的脊波导型激光器芯
片结构，实现10G、25G激光器芯片的高性能指标、高可靠性及批量出货。
11）集成式光芯片高可靠性技术，实现集成式光芯片各区的可靠性要求
集成式光芯片通过将不同功能局域进行集成，可在单一光芯片上展现更强的性能，
此类集成芯片形成量产的前提必须保证分区集成光芯片上各区域的可靠性，确保集
成式光芯片的使用寿命，而集成式光芯片中不同功能区域可能为不同的外延材料、
组份、结构等所组成，因此要兼顾集成芯片中不同区域的可靠性能力具备相当的难
度，公司经过多年不同材料、结构的生产经验积累及工艺打磨，熟悉不同材料、结
构在可靠性方面的技术难点，因此结合相关设计开发经验于集成式光芯片上，从设
计开发之初，考量分区的结构材料、组份、应力、掺杂、几何结构、光电转换、热
分布等差异化的区域特性，在保证芯片可靠性的大前提下，进行性能设计开发，使
集成式光芯片能同时实现高可靠性与多功能性能的绝对优势。
此类技术应用于所有集成式光芯片，场景包含数据中心与AI计算领域的高速光模块
、长距离接入网等场景，由于集成式光芯片的应用场景广，具备此类集成式产品的
高可靠性技术力已成为行业中的竞争优势。
12）大功率激光器高可靠性技术，实现大功率光芯片严苛操作场景下的可靠性要求
硅光子集成技术成为400G、800G及更高速率光模块的解决方案，而硅光子集成技术
中需求的大功率激光器芯片能够实现高光功率输出，弥补硅光子集成技术光传输损
耗问题，但是此类激光器长期在大电流输入与高光功率输出操作下，承受相对于一
般激光器更大的输入输出能耗，因此在产品的可靠性设计方面有较高的开发门槛。
公司在材料科学与产品可靠性工程的大量研发投入，已针对此类高应力操作场景进
行专项开发多年，从专项开发所需的设备、软件、工艺能力、材料知识、专家人才
等方面着手，完成了大功率光芯片的可靠性专项能力的提升，可用于大功率光输出
激光器的可靠性需求。
13）光放大器集成芯片制造平台，光放大器集成于光芯片上，实现长距离场景、高
分光比场景下的应用需求
光放大器在光通信系统链路中，能提供中继光放大的功效，用以解决系统链路中光
损耗造成的光功率不足问题，将此光放大器直接集成于激光器发射端，或是集成于
光接收器端，非常有利于降低链路成本，因此开发光放大器集成芯片制造平台，已
成为集成芯片技术中，非常具备竞争力的技术平台，例如：现有的高速EML激光器
集成光放大器后，能同时具备高速调制与大功率输出的优势。
此类技术平台开发难点在于外延能力的限制，分区集成的光芯片必须于每个区域各
司其职，发光、高速调制、光放大这些功能的实现，需要有不同的分区结构与外延
设计，这提升了外延与集成工艺的难度，公司已在上述分立的主动式光器件积累多
年开发经验，具备相当的外延能力与工艺经验积累，逐步于近年实现光放大器集成
芯片制造平台的开发。
长距离场景与高分光比场景下，都是需要大光功率的技术以减少链路上的损耗，光
芯片加上了光放大器的集成能力，非常合适于应用在此类场景，由于适用面广、可
降低链路成本，此技术平台已成为光芯片产品的核心竞争力之一。
14）高速激光器芯片的封装技术
高速激光器芯片的封装，不同于传统的单颗芯片封装，高速调制的芯片电路需要做
信号匹配和抗干扰处理，一方面基板的设计非常重要，能有效降低反射等带来的损
耗，另一方面，封装过程中，需要搭配多个电容、电阻等元器件，同时实现多芯片
的贴装，保持一定的封装精度，在完成封装的同时，需要进行COC的老化、测试等
环节，直至产出性能、可靠性均达标的成品。
公司可实现基板的自主设计开发，同时搭配先进的封装工艺设备，生产过程自动化
，工艺过程可追溯，整个生产制造平台已经具备量产化经验，拥有批量交付能力。
2、报告期内获得的研发成果
截至2025年12月31日，公司累计获得各类知识产权54项，其中发明专利23项，实用
新型专利15项，商标11项，作品著作权5项。
3、研发投入情况表
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
主要系研发物料消耗增加，研发人员薪酬增加及股份支付增加所致。
4、在研项目情况
5、研发人员情况
6、其他说明
四、风险因素
(一)尚未盈利的风险
(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
(三)核心竞争力风险
1、技术升级迭代的风险
随着全球光通信技术的不断发展，技术革新及产品升级迭代加速，应用领域不断拓
展已成为行业发展趋势。光芯片公司也需要紧跟光通信产业的发展趋势，不断进行
光芯片设计优化及生产工艺改进，以技术先进且富有竞争力的产品满足通信系统及
光模块产品日益提升的对速率、集成度等方面的要求。未来如果公司不能根据行业
内变化做出前瞻性判断、快速响应与精准把握市场，将导致公司的产品研发能力和
生产工艺要求不能适应客户与时俱进的迭代需要，逐渐丧失市场竞争力，对公司未
来经营业绩造成不利影响。
2、新产品研发及商业化失败风险
公司的主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，需集聚设计、研发、生产等
公司多部门的技术人员相互配合，同时试制的激光器芯片产品还需要经过下游客户
的严格认证，因此新产品研发及商业化具有投入大、周期长、风险高的特点。未来
公司研发的新产品若因成本高、可靠性弱、性能达不到下游客户需求、无法大规模
量产等因素，进而导致公司新产品无法顺利通过下游客户的认证或大批量出货，则
将会对公司的经营业绩造成不利影响。相关产品的研发进度、客户端测试进展、客
户商业化导入进度、大规模量产的产能爬坡进度以及市场供需的变化情况等存在不
确定性。
3、核心人才流失和技术泄密风险
光芯片行业涵盖设计、工艺等多个核心领域，光芯片制造不仅需要精通设计的技术
人员，更需要经验丰富的生产工艺人员，因此公司需要不断引进和培养优秀的技术
、工艺人才，并对核心员工实施股权激励，维持核心人才团队的稳定。随着市场需
求的不断增长和行业竞争日益激烈，如果公司不能持续加强核心人员的引进、培养
、激励和保护力度，则未来可能出现核心人员流失和技术泄密，从而对公司的生产
经营产生不利影响。
作为国内为数不多可以自主完成外延片设计开发与规模化生产的企业之一，产品复
杂的工艺流程更需要优秀、专业、与公司共同发展的人才，公司一如既往地重视核
心技术人才的引入留用、激励机制及个人发展的有效执行。产品的技术创新、稳定
的生产经营离不开强大的专业技术团队，公司持续将员工与公司的发展紧密结合，
稳定关键人才团队，规避核心技术人员的流失风险。
保护技术是保护公司的竞争力，公司对相关人员签订保密协议并定期进行培训教育
，同时，通过对敏感信息访问权限制、文件发送渠道授权、技术文件加密、重要数
据定期备份等加强网络安全管理。通过严格管理最大限度预防技术泄密，降低泄密
风险。如技术人员违反保密规定将技术信息向外部泄露，可能会对公司的市场竞争
力等带来不利影响。
(四)经营风险
1、部分下游厂商与公司存在潜在竞争关系的风险
光芯片具有技术壁垒高、工艺流程复杂、产品种类繁多且升级迭代较快的特点，因
而毛利率水平整体高于产业链下游厂商，并且光芯片在光模块成本中的占比很高。
部分下游厂商如海信宽带、光迅科技等，出于成本控制、产业链延拓、供应链安全
等方面的考虑，积极进行整合并研发自有芯片，部分产品一定程度上与公司存在潜
在竞争关系。未来如果公司不能持续推出符合市场需求的高速率产品及具有差异化
优势的中低速率产品，将可能造成公司订单数量的减少，并导致公司面临更加激烈
的市场竞争。
2、产品质量控制风险
公司的激光器芯片产品生产工序较多，产品工艺较复杂，随着产品迭代加快，对公
司的生产工艺以及员工的生产经验都提出更高的要求，公司对质量控制的难度相应
加大。行业重要客户对产品的批次质量、稳定可靠性等均有严格要求，需要公司建
立适宜、有效、充分的质量管理体系。随着公司业务规模的持续增长，产品持续进
行升级和迭代，以及客户对产品品质要求的不断提高，不排除由于某些不可预见的
因素导致产品出现瑕疵，若产品出现严重的缺陷或质量问题，公司声誉将会受到影
响，从而对公司的经营业绩造成不利影响。
3、毛利率波动及业绩可持续性风险
公司产品目前主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域，具有
产品不断迭代升级的特点。针对细分的产品，其销售单价受到竞争格局、供需关系
、技术迭代等因素的影响，细分产品单价下降对公司的整体毛利率产生一定影响。
报告期公司的综合毛利率为58.11%，主要系高毛利的数据中心产品占比提升导致。
若发生下游光芯片需求放缓、光芯片供应竞争格局加剧、下游需求技术路径改变等
因素，而公司未能采取有效措施，无法巩固产品的市场竞争力或在高端市场持续突
破，未能契合市场需求率先推出新产品，则将会对公司的经营业绩造成不利影响，
公司当前毛利率水平的可持续性也将受到影响。同时公司在生产过程中还将面临人
力成本、固定资产投入、能源成本等各方面因素影响，从而使得公司面临毛利率和
经营业绩波动的风险。
4、客户集中的风险
在重点市场拓展阶段，公司在少数重点实现突破，快速进入市常但是，也会导致客
户集中度较高的风险，如果新产品在其他客户拓展中遭遇阻碍或者推进缓慢，并且
重点客户的市场份额下降或竞争地位发生重大变化，可能会导致公司订单减少或流
失，从而对公司的经营业绩产生不利影响。
5、原材料价格波动的风险
整体原材料价格波动对公司生产成本具有一定影响，如果未来主要原材料价格因宏
观经济、供需关系等因素影响出现持续大幅异常波动，将直接导致公司产品的生产
成本发生相应波动，在公司无法将成本变化及时、有效地传导至下游客户的情况下
，公司的毛利率水平和整体盈利能力将面临下降风险。
(五)财务风险
1、存货跌价风险
报告期内，公司存货账面价值呈上升趋势，主要系公司为了满足生产需求，对原材
料进行备货所致。如果主要产品的价格未来出现大幅下滑或者销售不畅，而公司未
能及时有效应对并做出相应调整，将可能使得存货可变现净值低于成本，对公司的
经营业绩产生不利影响。
2、应收账款减值风险
报告期内，应收账款账面价值大幅增加，主要系收入增加所致。公司已根据谨慎性
原则对应收账款计提了坏账准备。但若宏观经济形势、行业市场波动、客户财务状
况或资信情况发生重大不利变化，或公司应收账款管理不当，公司可能面临应收账
款存在无法收回，将对公司的经营业绩造成不利影响。
(六)行业风险
公司产品主要应用于光通信领域，而光芯片行业作为光通信产业链的上游，其需求
易受下游电信市场及数据中心市场发展态势的影响。如果未来下游市场需求不及预
期，出现需求大幅减弱甚至持续低迷的不利情形，将导致公司未来经营业绩存在波
动的风险。未来若数据中心市场发展不及预期、AI行业发展不及预期、数据中心领
域产品迭代速度加快或行业竞争加剧，公司在数据中心市场的销售收入将受到较大
影响。
(七)宏观环境风险
近年来，国际贸易摩擦特别是中美贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护、加征关
税等手段，试图制约我国产业升级发展。光通信行业也面临全球供应链重构和地缘
政治风险。目前，公司对美国直接销售额较校但如果未来关税及豁免政策变化，可
能导致下游客户需求减少，或者将关税成本向上游转嫁的风险，从而对公司经营造
成一定的不利影响。对此，公司会持续推进国际化战略，进一步完善全球产能布局
，积极拓展多元化的客户资源。
公司生产激光器芯片产品所需的部分设备、部分原材料来自境外厂商。公司正在逐
步加大国内供应厂商的占比。但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦进一步加
剧，导致部分供应商未能及时甚至无法供货或提供设备，公司的正常生产经营将受
到重大不利影响。
随着公司业务规模的扩大及全球化布局深化，同时，国内外宏观经济、货币政策及
地缘政治等多重因素影响，汇率变动仍存在较大的不确定性，未来若人民币与美元
等外币汇率发生大幅波动，将对公司的生产经营造成一定影响。
(八)存托凭证相关风险
(九)其他重大风险
五、报告期内主要经营情况
报告期公司实现营业收入60,143.45万元，同比增加138.50%；归属于母公司所有者
的净利润19,092.40万元，归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润16,72
2.24万元。
六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
(一)行业格局和趋势
(二)公司发展战略
公司将立足AI产业爆发所带来的机遇，以“迭代核心产品、扩大产能优势、深化市
场拓展、强化人才支撑”为目标，推动公司发展。
坚持研发引领，依托现有技术与工艺壁垒，聚焦800G、1.6T等高速率光模块，以及
NPO、CPO等新兴封装路线需求，加大更高功率CW光源、高速EML激光器研发与商业
化落地力度。持续培育并强化前瞻设计开发与知识产权、晶圆工艺开发梯队、高端
设备应用与相应制程技术三大关键能力，推进研发设备高端化升级，加强专业技术
培训与工艺优化，筑牢技术壁垒。同时，通过自研及并购等方式，探索光芯片产品
在新兴领域的应用及其他业务方向。
加快产能扩产升级，以拟投建的光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目
为契机，匹配市场增长需求。加大数字化投入，推动智能制造全流程应用，实现生
产自动化、可视化管控，提升运营效率及品质稳定性。
加速融入全球AI产业生态，拓展全球客户覆盖，以便于更好的匹配高速光互联需求
，把握AI算力迭代机遇。
人才建设上，坚持人才优先，吸纳复合型人才，搭建结构化人才梯队；完善培养、
激励与晋升机制，推动员工与公司共成长，为抢占产业制高点筑牢人才根基。
(三)经营计划
1、市场计划
公司把握光芯片市场的发展契机，密切关注市场需求的发展动态，持续加强市场开
拓力度，以自主光芯片核心能力构建的技术实力为驱动，积极拓展下游客户，稳固
并提升公司的行业地位。面向PON市尝无线市尝数通市场几大应用市场开展业务。
在目前需求发展较快的数据中心市场，公司立足于已经进入国内外主流客户体系的
基础，把握人工智能带来的市场机遇，将持续投入资源加强销售体系建设，提升整
体营销水平，在产品销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的服务和解决
方案。此外，为公司未来拓展其他客户做好充足准备，公司定期对营销和技术服务
人员进行培训，内容包括产品及技术参数理解、销售专业技能、客户技术服务等。
同时，关注新的技术方向可能带来的行业变化，加强产业链内生态伙伴的合作，把
握市场机遇。
2、研发计划
公司始终坚持以客户需求为导向，紧盯世界光芯片的发展前沿，尤其人工智能带来
的对光芯片的需求的变革，向更高速率、更大功率、更高集成度等方向研发探索。
围绕制造平台升级、产品技术拓展、制程效率提升和品质保障体系四个层面加大研
发投入。公司持续增加研发投入，将在现有研发积累的基础上，通过扩大升级研发
实验室，优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，
提升整体研发能力。在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的
技术研发、参数改进、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励
，激发技术研发人员的工作热情。同时，公司将加强与相关高校的技术合作，增强
自主创新能力，实现研发与生产的紧密结合，从而促进公司产品技术水平的提高，
提升核心竞争优势。
3、人才计划
人才是公司实现高质量、可持续发展的核心资源。公司结合行业技术迭代速度与全
球化竞争格局，制定了人才发展规划。紧扣核心技术研发与产业化战略目标，打造
与企业发展相匹配的高素质、专业化人才队伍，构建“基础研究-应用开发-量产转
化”全链条人才梯队，为公司持续技术突破与市场拓展提供坚实人才支撑。
未来，公司将持续致力于人才队伍的建设与优化，以战略眼光布局人才，以创新机
制激活人才，以产业需求锤炼人才，最终实现“人才领先-技术突破-市场领先”的
良性循环。重点培养技术领军人才，持续扩充研发团队，打造一支兼具技术创新能
力、产业化落地能力的人才队伍，为公司实现长期可持续发展筑牢人才根基。加强
对员工的关怀和激励，鼓励员工敢于创新和挑战，通过坚实的人力资源基础，支撑
公司在技术创新与市场竞争中行稳致远。
4、生产计划
公司将进一步优化生产制造体系，重点围绕产能扩张、技术升级、自动化提升、生
产管理等几方面展开：通过光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目的实
施，加大对核心设备进行采购，稳步扩大产能，提升高端激光器芯片制造产能；在
制程工艺方面，稳定现有制程，开发新工艺，搭建下一代工艺制造平台；继续提升
制造和检测自动化水平，保证制程稳定，提升生产效率；加强数字化管理能力，全
面升级智能制造管理系统；提升人员制造管理水平，通过加强部门协同，精细化工
序管理，提升交付能力及效率，并进一步优化库存管理；进一步完善全球化产能布
局，有序推进海外建厂工作。
【4.参股控股企业经营状况】
【截止日期】2025-12-31
┌─────────────┬───────┬──────┬──────┐
｜企业名称 ｜注册资本(万元)｜净利润(万元)｜总资产(万元)｜
├─────────────┼───────┼──────┼──────┤
｜北京观新光源创业投资基金中｜ -｜ 3507.65｜ 33593.20｜
｜心(有限合伙) ｜ ｜ ｜ ｜
｜YUANJIE TECHNOLOGY PTE. LT｜ 5030.00｜ -11.64｜ 35955.54｜
｜D. ｜ ｜ ｜ ｜
｜YST SEMICONDUCTOR TECHNOLO｜ 0.01｜ -408.73｜ 41139.15｜
｜GY CORPORATION ｜ ｜ ｜ ｜
└─────────────┴───────┴──────┴──────┘
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