☆经营分析☆ ◇688416 恒烁股份 更新日期：2025-10-27◇
★本栏包括 【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.经营投资】【4.参股控股企业经营状况】
【1.主营业务】
芯片的研发、设计和销售。
【2.主营构成分析】
【2025年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜存储芯片 ｜ 14564.23｜ 1741.05｜ 11.95｜ 83.57｜
｜微控制器及其他 ｜ 2852.35｜ 393.62｜ 13.80｜ 16.37｜
｜其他业务 ｜ 10.93｜ --｜ -｜ 0.06｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜集成电路 ｜ 37196.30｜ 4881.55｜ 13.12｜ 99.91｜
｜其他业务 ｜ 32.71｜ --｜ -｜ 0.09｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜存储芯片 ｜ 32566.26｜ 5157.20｜ 15.84｜ 87.48｜
｜微控制器及其他 ｜ 4630.04｜ -275.64｜ -5.95｜ 12.44｜
｜其他业务 ｜ 32.71｜ --｜ -｜ 0.09｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 32671.22｜ 4096.95｜ 12.54｜ 87.76｜
｜境外 ｜ 4525.08｜ 784.61｜ 17.34｜ 12.15｜
｜其他业务 ｜ 32.71｜ --｜ -｜ 0.09｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜经销 ｜ 27987.01｜ 4230.71｜ 15.12｜ 75.18｜
｜直销 ｜ 9209.29｜ 650.84｜ 7.07｜ 24.74｜
｜其他业务 ｜ 32.71｜ --｜ -｜ 0.09｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜存储芯片 ｜ 15889.71｜ 2239.52｜ 14.09｜ 89.54｜
｜微控制器及其他 ｜ 1846.45｜ 197.61｜ 10.70｜ 10.41｜
｜其他业务 ｜ 9.29｜ --｜ -｜ 0.05｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2023年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜集成电路 ｜ 30363.26｜ 4237.63｜ 13.96｜ 99.28｜
｜其他业务 ｜ 220.60｜ --｜ -｜ 0.72｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜存储芯片 ｜ 26092.95｜ 3789.35｜ 14.52｜ 85.32｜
｜微控制器及其他 ｜ 4270.31｜ 448.28｜ 10.50｜ 13.96｜
｜其他业务 ｜ 220.60｜ --｜ -｜ 0.72｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 27722.41｜ 3733.16｜ 13.47｜ 90.64｜
｜境外 ｜ 2640.84｜ 504.47｜ 19.10｜ 8.63｜
｜其他业务 ｜ 220.60｜ --｜ -｜ 0.72｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜经销 ｜ 22801.51｜ 3170.04｜ 13.90｜ 74.55｜
｜直销 ｜ 7561.74｜ 1067.59｜ 14.12｜ 24.72｜
｜其他业务 ｜ 220.60｜ --｜ -｜ 0.72｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【3.经营投资】
【2025-06-30】
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司所处行业
公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计
分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于
新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-
2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，
行业代码“6520”。
（二）主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业
。公司现有主营产品包括NOR Flash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用
32位MCU芯片、AI芯片业务（通用AI SoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）和大容
量存储产品。
2、主要产品
（1）NOR Flash存储芯片
公司NOR Flash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性方面均处
于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。自主研发的NOR Flash产
品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，以其高可靠性、低功耗特性、良好的兼
容性和成本效益而受到市场青睐。
①技术工艺：公司的NOR Flash产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（Floating Ga
te工艺，也称为ETOX工艺）。这种基于ETOX的NOR Flash技术完全拥有国内自主知
识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证，该技术已证明其在
可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司预计2025下半年将推出基于NORD工艺
的新架构FLASH小容量产品。
②制程技术：目前销售的主要NOR Flash产品采用了武汉新芯的50nm制程技术，以
及中芯国际的55nm制程技术。除部分特殊应用领域产品保留65nm工艺节点，其他全
系NOR Flash产品，已全面过渡到5Xnm工艺节点，以提高产品性能和生产效率。
③容量选择：能够提供从1Mb到512Mb的NOR Flash产品系列，以满足不同容量需求
的市常
④工作电压：公司NOR Flash产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.
0V）、高电压（2.3-3.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的
工作电压等级。
⑤性能参数：公司的NOR Flash产品支持最高166MHz的工作频率，在双线（SPI Dua
l Mode）和四线（SPI Quad Mode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到332Mb
its/s和664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数据带宽更是高达532Mbits/s。
静态电流低至1μA，工作温度范围标准为-40℃至125℃，数据保持时间长达20年，
擦写次数可达10万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。
⑥车规认证：部分NOR Flash产品已通过AECQ-100的标准认证，公司致力于未来实
现车规产品全容量系列的认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。
综上所述，公司的NOR Flash产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频
率、工作温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业主流水平，部分产品技术已达
到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。
（2）MCU芯片
公司目前销售的M0+核心的通用32位微控制器（MCU）芯片共包含超过30种型号。这
些芯片采用55nm超低功耗嵌入式闪存技术制造，具备宽电压工作范围、低动态功耗
、低待机电流、
丰富的集成外设以及高性价比等特点。这些系列产品集成了高精度模数转换器（AD
C）、实时时钟（RTC）、比较器、多通道通用异步收发传输器（UART）等多样的模
拟和数字外设。它们同时支持两种低功耗工作模式：休眠模式和深度休眠模式，后
者允许在3μs内快速唤醒。整个系统的动态功耗低于100μA/MHz，而深度休眠模式
下的功耗则低于1μA。
（3）AI业务
公司AI业务产品主要包括通用AI SoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡。
AI SoC芯片，采用RISC内核，功能全面，适配小规模端侧AI模型的部署和计算，性
价比高，在消费类、工控类等应用市场已批量出货。
AI算法模型，包括TinyML视频分割算法、视觉识别算法、语音侦测算法、语音识别
算法、语音声纹算法和语音降噪算法6大类别，具有模型精简、精准度高、能耗低
的优势，已广泛部署到通用MCU/DSP/SoC等硬件产品上运行。
AI模组板卡，融合了芯片、算法产品以及软件部署和SDK开发技术，基于包含Corte
x-M内核MCU、Cortex-A内核CPU、RISC内核MCU及MCU+DSP核的MCU等模组板卡硬件计
算平台，持续推出针对不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体AI模组板卡产品。
公司不同系列产品既能够用于AI音频功能实现，满足AI语音识别、AI声纹识别、AI
语音降噪等应用场景需求，又能用于AI视频功能实现，满足AI图像分割、图像识别
及视觉动作分析等应用场景需求。
（4）大容量存储产品业务
a.SPINAND
采用主流24nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller，内置ECC纠错算法，ECC纠错
能力可达8b/512B，相比传统single die方案产品，额外搭载SPI控制器中固件可更
好的使其满足数据传输效率的同时，可提供更高的可靠性和稳定性，以满足客户复
杂的应用场景需求。
b.SDNAND
采用主流24nm原厂晶圆搭载一颗SD接口controller，提供定制化Firmware，ECC纠
错能力可达8b/512B。相较TF card产品，产品尺寸更小，同时WSON8的封装使其满
足数据传输效率的同时，可提供更高防震性，以避免存在晃动场景造成的接触不良
。
c.PPINAND
采用24nm原厂晶圆内置ECC Engine，ECC纠错能力可达8bit/512Byte，兼容x8和x16
的并行接口，完全满足客户大数据量的读写。同时提供BGA24、BGA63和TSOP48多种
封装形式的产品，以满足客户的不同封装需求。
d.eMMC产品
随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升，为了满足客户对高速数据传输和
稳定运行的需求。基于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，最大顺序读
取速度达320MB/s，支持动态SLC缓存，为终端设备提供稳定高性能。同时内置固件
算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法LDPC等，确保了产品的低
延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多
种容量设计，能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他AIoT等不同终端客户，
提供不同容量的高性能、高可靠性的存储解决方案。
e.DRAM产品
DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，成为主流内存解决方案。2025年上半
年公司积极布局易失性存储芯片DRAM内存产品，采用模组合作模式，致力于实现易
失性和非易失性利基型产品的全覆盖。公司DDR4产品在2025年上半年量产。产品也
将涵盖主要容量4Gb和8Gb，产品速率最高可达行业DDR4最高的3200Mbps。
（三）主要经营模式
自成立以来，公司的经营模式一直为Fabless模式，专注于芯片的研发、设计和销
售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营
模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发，快速实现产品布局和更新迭代，及时
适应市场变化、满足客户需求，从而充分发挥公司的竞争优势，同时避免巨额资金
投入，降低公司的经营风险。此外，公司采用Fabless经营模式，可根据不同晶圆
代工厂工艺制程特点来定义自身产品的技术路线，实现差异化竞争并弥补不同晶圆
代工厂在品质、良率和产能方面的不足。未来公司经营模式预计不会发生变化。公
司具体的盈利、研发、采购、生产及销售模式如下：
1、盈利模式
公司是一家采用Fabless模式的集成电路设计企业，主要向客户提供自主品牌的NOR
Flash和MCU等芯片产品获取业务收入从而实现盈利。
2、研发模式
公司产品以自主研发为主，同时会与晶圆代工厂进行深入合作，充分利用其工艺优
势，并针对工艺上的缺陷，在产品设计上进行弥补。
3、采购和生产模式
公司的经营模式为Fabless模式，该模式下公司专注于芯片的研发、设计和销售，
晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等均通过委外方式实现。
公司晶圆代工厂主要为武汉新芯和中芯国际，并与之建立了长期稳定的合作关系。
晶圆测试和芯片封装测试的市场供应商相对较多，产能相对充足。根据客户对产品
形态要求不同，公司的芯片产品可分为晶圆片（KGD）和封装片，晶圆片是指由晶
圆代工厂生产完成并经晶圆测试（CP），但未经过芯片封装测试的产品；封装片则
是在完成晶圆测试后，还要进行芯片封装（Packaging）和最终测试（FT）形成的
产品。对于具有合并封装（SIP）需求的主控芯片厂商，则需要采购晶圆片，再按
照自身具体要求将采购的晶圆片上的裸芯片（Die）取下后与其他芯片合并封装。
晶圆片和封装片在芯片电路和制造工艺等方面不存在差异。
4、销售模式
公司采用直销和经销两种销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下达采购订
单。经销模式下，经销商根据终端客户需求向公司下达采购订单，公司与经销商之
间为买断式销售。公司根据芯片的市场价格与客户协商定价。
二、经营情况的讨论与分析
报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司
股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-
7,725.94万元。影响经营业绩的主要因素：
1、报告期内，市场竞争激烈，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额
为关键，公司主要产品的销售价格仍然处于较低水平，毛利率相较于去年同期下滑
。
2、报告期内，公司加大人才引进与培养，做好公司团队建设。同时，公司持续进
行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处
在较高水平。
3、报告期内，公司持续加速库存去化，计提的资产减值损失金额同比大幅减少，
但公司存货周转率仍然处于较低水平，基于谨慎原则对存货进行资产减值损失计提
，对公司净利润仍有较大影响。
（一）NOR Flash存储芯片
NOR Flash存储芯片领域，公司积极推进多条产品线的研发工作，升级迭代原有产
品的同时持续研发新产品，为公司未来发展蓄力。
1.通过持续优化先进的ETOX工艺制程，并重点攻坚50nm与55nm节点，成功实现了晶
体管密度的提升与动态/静态功耗的双重优化，显著降低工作功耗，能效比（Energ
y Efficiency）获得质的飞跃。不仅直接降低产品的运行成本，更是在功耗敏感型
应用领域确立了关键优势。
2.积极布局先进的NORD工艺制程NOR Flash产品，在提供强大环境适应力（稳定可
靠，宽温工作）的同时，其占用的晶圆面积相较于其他竞品优势显著，在成本降低
的同时，极大地释放了客户在产品小型化与便携性设计上的潜力。
3.致力于开发具备超高速数据传输能力的产品线，目前已有型号成功实现了SPI166
MHz和DTR100MHz的业界领先速率水平。这一突破性进展精准契合了当前市场对海量
数据实时处理与传输的迫切需求，为高性能计算、边缘设备及实时响应应用提供了
强大的底层硬件支持。
4.针对PC环境对数据安全性的高要求，研发整合了应答保护单调计数器（RPMC）技
术的产品。RPMC机制通过强制单调递增的响应计数，为每次交互提供唯一性标识，
从根本上阻断了重放攻击的可能性。这直接强化了数据的抗篡改能力，并提升了涉
及固件更新、安全启动、版权保护等关键PC操作的可靠性保障。
（二）MUC芯片
公司上半年通用低功耗MCU产品线销售额同比增加59.98%，出货量同比增长102.99%
，ZB32L003系列产品以超低待机功耗与超高性价比优势，在电动工具、HDMI设备、
四轴飞行器、智能水表及烟感传感器等领域取得突破。目前MCU产品线已完成20PIN
-48PIN布局，覆盖多样化应用场景。同时，公司电机控制MCU产品线（ZB32M022系
列)）成功实现小批量试产与技术闭环（芯片设计-算法支持-方案Demo），正在导
入消费电子（风筒、美甲机、玩具车电调）与工业领域（高速吸尘器、电动工具、
气泵）等多家客户。两大产品线协同发力，为下半年及未来业绩增长奠定坚实基矗
（三）AI业务
2025年上半年，公司AIBU致力于TinyML AI算法、AI算法模组和AI解决方案等产品
的开发于市场销售。AI算法包括端侧智能设备语音算法和端侧视觉算法，AI语音识
别算法在3C数码产品例如空调伴侣、加湿器、玩具类产品实现批量出货，并完成AI
GC硬件平台部署；AI人脸识别算法成功落地办公终端设备。AI算法模组在3C夜灯市
场出货量占据50%以上市场份额，灯控和风扇灯领域突破百万台套出货，小家电（
风扇/茶吧机/取暖器）、潮玩玩具、智能门锁完成设计并预计Q3起试产。AI解决方
案依托离在线一体与多模态融合技术，重点攻坚AIGC玩具、小家电及办公智能体市
场，核心项目将于下半年商业落地。
（四）大容量存储业务
2025年上半年，公司持续推进存储业务战略布局，成果显著：在利基型NAND Flash
领域，新增single die SPI NAND及高性能32Gb SD NAND产品，预计三季度量产后
将形成覆盖高、中、低端的差异化产品组合，更好满足网络通信、智能穿戴等细分
应用客户；嵌入式存储芯片产品线新增256GB容量可以更好满足平板电脑、低端智
能手机等客户需求，同时增加适配2家国际主流NAND Flash，增强了产品供应链的
安全和稳定性。公司2025年1月搭载国内主流原厂2xnm DRAM晶圆，量产了第一代DD
R4模组产品，DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，广泛应用于智能电视、
安防监控、网通设备和工业控制等领域，后续将为公司业务带来新的增量。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、深耕“存储+控制”，业务范围持续拓展
公司保持高研发投入，持续优化ETOX工艺制程NOR FLASH产品，专注于50nm和55nm
节点，以实现更低的工作功耗和更高的能效比产品，布局NORD架构工艺小容量产品
，力争在全容量系列产品方面形成强大竞争力。同时加大MCU产品出货量，不断拓
展产品在工业控制、汽车电子等高端应用领域的应用场景和客户，提升公司产品市
场份额。同步公司布局大容量存储产品线市场，利基型NAND Flash、eMMC芯片及DD
R4模组产品业务实现新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新
的增长点。
2、供应链深度协作
公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的研发、设计与销售，而晶圆制造、测试
和封装等环节则通过与行业内领先的供应商合作完成。在这一模式下，公司与供应
商建立了紧密且稳定的合作关系，确保了供应链的高效运作和产品品质的持续优化
。公司第一大晶圆代工供应商武汉新芯以及第二大供应商中芯国际，均在闪存晶圆
代工领域拥有显著的产能优势和先进的工艺技术。武汉新芯的ETOX50nm NOR Flash
制程和55nm eFlash MCU制程均为行业领先，而中芯国际作为领先的晶圆代工厂，
提供了强大的存储芯片生产工艺支持。与这两家供应商的长期合作，不仅保障了产
品的高性能和高可靠性，也促进了工艺技术的持续进步，从而推动了销售收入的稳
定增长。在晶圆测试和芯片封装方面，公司同样与国内领先的厂商建立了稳固的合
作关系，确保了产品质量和交付效率。公司在供应链管理方面积累了丰富的经验，
通过精细化管理，有效提升了供应链的响应速度和灵活性，为公司的持续盈利和市
场竞争力提供了坚实的基矗
3、技术研发与创新
持续的研发投入和创新能力将是公司未来增长的关键驱动力。公司坚持将技术研发
和产品创新作为企业发展的核心动力，拥有一套完善的技术研发体系，并不断通过
自主研发加强和扩展公司的自主知识产权组合。报告期内，面对激烈的市场竞争环
境，公司通过持续的研发投入，为公司的发展积攒能量。2025年上半年公司的研发
费用为4,283.05万元，占营业收入比例为24.58%，公司持续投入研发有利于巩固了
现有市场地位，也为进入新的增长领域奠定了坚实的基矗
4、经验丰富的人才团队
集成电路行业是一个高度依赖技术和人才的领域，人才培养和技术研发方面的持续
投入，将为公司的长期发展和市场竞争力提供强有力的支持。公司充分认识到人才
的重要性，并致力于培养和吸引行业内的优秀人才。为此，公司在合肥、上海、苏
州等集成电路产业和人才集聚的关键城市设立了研发中心，并计划根据公司未来的
产业布局，进一步在国内外其他发展迅速的集成电路产业城市增设研发机构，以不
断吸纳和培养高端人才。公司的领导团队由经验丰富的行业专家组成，董事长兼总
经理XIANGDONG LU博士拥有近30年的半导体行业经验，在英飞凌、TI、美光、NEC
、Spansion等国际知名半导体公司担任过研发、市尝管理等关键职位，其深厚的行
业背景和丰富的管理经验为公司的发展提供了坚实的领导力。同时，公司的核心技
术人员均具备扎实的专业知识和丰富的行业经验，确保了我们在技术研发和产品创
新方面具有显著的竞争优势。
5、质量管控深度赋能公司发展
公司一直致力于强化质量管理、服务客户、提升客户满意度。上半年公司已通过IS
O9001:2015和OC080000:2017体系认证，进一步完善公司质量管理架构，并通过专
业工具的培训进一步提高员工能力，从而提升产品竞争力。公司始终关注于持续改
进，不断优化内部管理流程，尤其是不断提高晶圆制造和封装测试的质量监控能力
与标准，确保产品始终具备很强的市场竞争力。公司聚焦未来，持续推进NOR Flas
h产品和MCU产品车规级AEC-Q100标准测试认证，为公司扩展车规高端市场奠定坚实
基矗同时公司始终坚持以顾客为导向的理念，以顾客的需求作为内在驱动力，确保
交付的产品符合客户期望。通过以上措施，能力建设和流程建设同向发力为公司高
质量发展保驾护航。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措
施
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）NOR Flash有关核心技术
公司NOR Flash产品线针对多样化的市场应用需求，在高安全性、低功耗、高性能
和高可靠
性四大领域进行了深入的技术创新。以下是各项核心技术及其应用的具体情况：
a.高安全性设计
该技术通过将主控加密引擎与NOR Flash集成于同一芯片，共享I/O接口，实现了硬
件级的安全防护。采用Intel通用的RPMC加密技术，结合标准的HMAC-SHA-256加密
引擎和独立的单向性闪存计数器，能够对密钥进行HMAC签名，显著提升了数据存储
的安全性和可靠性。此外，加密芯片可灵活适配4Mbit至256Mbit的全系列存储芯片
，工作电压支持1.7V-3.6V，为用户提供了更广泛的选择空间。
b.低功耗设计
通过优化存储单元架构和外围电路设计，结合专利技术降低静态功耗，并采用cloc
k gating技术减少动态功耗，产品在功耗表现上达到业界领先水平。动态自适应电
压频率缩放技术的引入，进一步拓宽了工作电压范围（1.65V~3.6V），使其能够广
泛应用于电池供电的系统设计中，显著延长了设备的工作时间。将以上技术与5xnm
工艺平台结合，进一步拓展了公司产品的功耗优势。
c.高速高性能设计
通过改进存储单元架构和读出电路设计，提升了数据读取精度和速度，最高可实现
四线664Mbits/s的数据传输速率。支持80MHz时钟双边沿采样技术，大幅提高了数
据吞吐效率。同时，优化的擦写算法减少了芯片工作过程中的充放电和开关切换操
作，在降低动态功耗的同时，进一步缩短了擦写时间，提升了整体性能。
d.高可靠性设计
针对极端温度环境对NOR Flash芯片的挑战，公司产品支持-40℃至125℃的超宽工
作温度范围。基于与晶圆代工厂的深度合作，公司对存储单元特性进行了深入研究
，并通过算法优化提升了高温下的数据存储能力。此外，芯片内部集成了温度检测
模块，能够实时监测温度并自适应调整擦写电压和时间等参数，确保芯片在不同温
度下均能保持最佳性能，显著提升了产品的可靠性。
通过以上技术创新，公司NOR Flash产品在安全性、功耗、性能和可靠性等方面均
实现了显著突破，能够满足多种应用场景的严苛需求。
（2）MCU相关核心技术
a.高频高精度低功耗片内振荡器设计
MCU片内不同模块对时钟精度有着不同的需求，使用片内的高频高精度振荡器HIRC9
6M，在工业温度范围内可达到2%的频率精度，配合片内自校准技术在一定应用范围
内可以取代晶振加PLL的时钟组合，达到减低芯片成本，同时降低芯片功耗，增加
运行效率的作用。
b.宽电源电压工作范围的模拟设计技术
MCU中的模拟IP都实现了在宽电源电压范围内（1.8V~5.5V）可正常工作，拓宽了MC
U产品的应用范围，增加使用便利性的同时也一定程度上减低了用户系统级设计成
本。
c.时钟异常监测以及快速切换技术
MCU使用外部晶振工作时，存在晶振意外停止的情况，此种情况下可能存在锁死通
信网络，以及电机控制失控等情况，为提升MCU的可靠性，业界通用做法是检测到
外部晶振时钟异常的时候，切换到内部时钟，从而为软件处理提供可能性以及所需
的时间，但既有的时钟安全系统需要在设定的计数值溢出后才可以检测到时钟停止
，且需要其他时钟源作为辅助时钟，通常需要数十个外部晶振时钟周期。对于电机
等高响应速度的应用，我们新设计了更高速的时钟安全监测切换电路，新的时钟安
全监测切换电路，针对外部晶振的意外停止，首先不需要其他时钟源辅助，其次可
以做到4~5个外部晶振周期就可以检测出晶振的停止并完成切换，从而可以快速关
断电机驱动或者复位芯片，进一步提高可靠性。
d.内部振荡器自动校准功能
MCU芯片内部振荡器需要经过校准测试后才能出厂使用，为进一步降低测试成本，
设计了自动校准电路，该校准电路有几个重要特性，①校准源可灵活选择，如使用
外部晶振，外部时钟输入，或者外部指定宽度的信号输入，②电路可以选择二分法
或者指定校准点/间隔，兼顾了测试初期和量产时的测试时间，③自动完成内部振
荡器的校准以及校准参数的保存，从而减少量产测试时间。
e.电机控制算法技术
电机控制专用MCU是未来MCU市场重要的细分领域之一，公司高度重视电机控制市场
的技术创新与研发投入，积极组建专业团队，致力于攻克行业技术难题，提升公司
产品核心竞争力。
公司电机方案团队在电机控制技术领域取得了一系列显著成果，特别是在FOC（磁
场定向控制）算法能力方面取得了一系列突破。包括：高速电机控制技术、直接闭
环启动技术、堵转不失速快速启动技术、高频注入检测初始位置技术、电机参数辨
识技术等。这些技术点的突破，不仅提升了公司产品的性能和竞争力，也为公司未
来的业务拓展和市场份额的提升奠定了坚实的基矗在未来的研发工作中，公司将继
续加大对电机控制技术的研发投入，不断优化现有技术，探索新的技术方向，为客
户提供更优质、更高效的电机控制解决方案。
（3）存算一体化人工智能芯片相关核心技术
从智能语音、智能视觉到生成式AI、智能机器人，具备强大计算能力的AI系统无时
无刻不在改变着人类的生产生活。但随着AI的普及，尤其是大模型的广泛应用，AI
模型的推理效率越发受到关注。存算一体技术作为有别于传统冯·诺伊曼架构的新
型计算范式，具备低功耗、高能效和高面效的显著优势，是大模型推理和端侧AI的
绝佳载体。
a.低功耗存算一体推理技术
公司研发的低功耗存算一体推理技术能够高效地完成AI所需的核心计算——向量矩
阵乘法。利用存算一体技术，芯片可以规避计算中模型数据访存带来的存储墙问题
，提高计算能效和计算面效，进而降低计算功耗和芯片面积。目前公司具备基于No
r Flash和SRAM两种介质的存算一体技术，涉及模拟存内计算和数字存内计算两种
路径，能够根据场景需要选择合适的计算介质与计算路径。
b.低功耗音频预处理技术
公司在音频应用领域研发了与存算配套的低功耗预处理技术，包括低功耗的ADC设
计、低功耗人声活动检测(VAD)和低功耗FFT等，搭配存算一体的计算核心，能够从
系统级优化智能语音芯片的实际功耗，帮助存算一体技术从单一模块的技术优越转
变为可落地、有性价比、有竞争力的芯片产品。
c.开发者友好的软硬件协同技术
为了提高对于第三方算法的适配，避免芯片只能运行有限的固化算法，公司针对存
算芯片设计了一套自研的存算指令集架构，存算芯片能够根据编译完成的程序指令
完成多样化的算子计算和数据流控制。同时，公司还基于指令集构建了对常用AI算
子的支持，允许开发者进行多样化、自定义的模型部署和使用。后续公司还将继续
优化，以期提供更好的SDK和开发生态。
d.系统级开发技术
综合CiNOR或者数字存算的AI加速模块，构建以神经网络为代表的AI算法的完整计
算系统。最大化地利用整个系统的计算资源和存储资源，以完成更高效的AI推理任
务。
（4）基于MCU的TinyML推理方案相关核心技术
a.TinyML的轻量化模型设计技术
基于PyTorch等框架进行TinyML的算法设计，结合模型量化、知识蒸馏、NAS、模型
剪枝等技术，综合前沿的AI发展，对具体应用进行定制化设计，能够用更小的模型
和算力获取相似甚至更高的模型准确度。目前已具备4bit,8bit,16bit及混合精度
的模型设计能力。结合硬件平台相关的经验积累，最大化发挥GPU的计算能力，提
高训练效率并减少技术迭代周期；对实际的端侧计算过程进行误差感知，最大化发
挥硬件的性能，同时做到服务器-端侧过程几乎一致，最大化减少部署中的性能损
失。
b.TinyML的鲁棒性增强技术
在数据预处理、结果后处理等阶段，通过合适的数据清洗、数据增强、路径优化等
方法，结合传统的信号处理技术，提升模型在外部干扰和复杂环境下的准确度、一
致性和鲁棒性。公司同时也在构建多维度的语音算法能力，全方位提高TinyML方案
在多样化场景中的性能和竞争力。目前公司的TinyML音频算法可在风噪、振动、混
响、回声等强干扰环境下稳定运行。
c.TinyML的端侧部署技术
公司从应用出发，结合算法逻辑，对算子进行重新整合和优化，减少推理过程中不
必要的算力浪费和资源占用，以期最大程度地发挥出端侧设备和算法的性能。已具
备将PyTorch的算法模型高效地部署在Cortex-M系列、Cortex-A系列和RISC系列等M
CU及其配套协处理器（如DSP、GPU和NPU等）的开发能力，涉及多种语音、视觉和
时序信号应用。
d.自动化测试技术
在端侧部署完成之后，为了评估算法的整体性能、算法与硬件模块的适应性以及更
好判断市场现有产品的竞争力和技术水平，公司开发了配套的自动化测试技术，能
够更高效的完成算法性能测试、配置调优和竞品对比，加速TinyML的产品优化与落
地。
e.TinyML的商业化技术
对具体场景的应用需求、痛点、人机交互等因素进行分析，对算法逻辑进行优化，
综合调控AI功能的识别率、误报率等性能。提供包括关键词识别、声纹识别、语音
降噪、人声行为检测、音乐人声分离、离在线一体等一整套语音解决方案，为智能
家居、智能玩具、智能监护等领域提供所需要的完善方案。
2、报告期内获得的研发成果
报告期内，公司取得3项发明专利，取得6项集成电路布图设计，新提交2项发明专
利申请。
3、研发投入情况表
4、在研项目情况
5、研发人员情况
6、其他说明
四、报告期内主要经营情况
报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司
股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-
7,725.94万元。
五、风险因素
（一）业绩波动风险
报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司
股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-
7,725.94万元。2025年上半年市场竞争激烈，公司维持原有市场销售政策，以出货
量和市场份额为关键，公司主要产品的销售价格仍然处于较低水平，毛利率相较于
去年同期下滑，同时公司基于谨慎性原则，在充分考虑期末存货的售价和适销性的
基础上，报告期内计提存货跌价准备3,329.94万元，综合因素导致业绩亏损。若未
来公司主要产品的销售单价和毛利率受行业波动和市场竞争等因素影响进一步下滑
，则公司业绩存在继续下滑的风险。
（二）核心竞争力风险
1、产品技术研发风险
NOR Flash芯片和MCU芯片的研发具有技术含量高、研发周期长及资金投入大等特点
。公司NOR Flash芯片从目前主流的65nm制程工艺向50nm以及4xnm发展，MCU芯片从
目前基于M0+内核向基于M3、M4更高性能发展，由于芯片的研发存在偏离市场需求
、研发进度未达到预期、关键指标不达标、流片失败无法量产、市场推广进程受阻
等风险，公司产品研发成功并实现产业化以及新产品获取市场认可具有不确定性。
因此，公司面临新产品技术研发失败的风险，从而导致公司前期研发投入难以收回
，同时也会对公司的市场竞争力和正常经营活动的开展产生不利影响。
2、技术泄密风险
公司所处的集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点。经过多年的技术创新和
研发积累，公司自主研发了一系列核心技术，这些核心技术对设计企业发展和市场
竞争力的提升具有关键性作用。虽然公司通过申请专利、计算机软件著作权、集成
电路布图设计等方式对核心技术进行有效保护，并与核心技术人员签署了保密协议
及竞业限制协议，约定了严格的保密和竞业禁止条款，但是公司有多项核心技术属
于非专利技术且有多项产品和技术正处于研发阶段，公司Fabless模式也需向晶圆
代工厂提供相关芯片版图，不排除存在核心技术泄密或被他人盗用的风险。如前述
情况发生将在一定程度上削弱公司的技术优势，对公司竞争力产生不利影响。
3、市场竞争加剧的风险
公司目前的主营产品为NOR Flash芯片和MCU芯片，二者所在行业均面临着较高的行
业集中度以及较为激烈的竞争格局。随着下游市场需求的快速增长，华邦、旺宏、
兆易创新、赛普拉斯、美光等NOR Flash领域的龙头企业，以及瑞萨、恩智浦、英
飞凌、意法半导体、微芯科技等MCU领域的龙头企业，凭借技术和资金实力，不断
拓展市场，提升其品牌知名度和市场地位。与前述厂商相比，公司整体规模偏小，
在产能保障、研发投入和技术储备、产品品种数量、盈利能力及抗风险能力等方面
均有一定差距。公司与行业龙头在产品布局上存在较大差距，在汽车电子、工业类
市场尚未形成竞争力。近年来，随着NOR Flash芯片和MCU芯片下游应用市场需求的
快速增长、集成电路国产替代进程加速以及国家大力发展集成电路产业，公司所处
行业的国内新进入企业数量不断增加，会使公司面临更加严峻的市场竞争，公司产
品可能会被竞品替代，进而导致公司存在市场份额和利润空间下降的风险。
4、产品质量风险
产品质量是保证公司强竞争力的基矗芯片产品具有高度复杂性，产品质量受到设计
、晶圆生产、封装过程、测试过程等多方面因素影响，若公司产品出现质量问题或
未能满足客户对质量的要求，公司可能会承担相应的退货或赔偿责任，对公司经营
业绩、财务状况造成负面影响；同时，公司产品质量是公司保持良好客户关系和市
场地位的重要保障，产品质量问题可能会对公司的品牌形象、客户关系造成不利影
响，进而影响公司业务经营与发展。
5、核心技术人员流失或不足的风险
集成电路设计行业对高质量、高层次的核心技术人员依赖度较高，研发经验丰富和
稳定的核心技术团队是公司生存和发展的基矗随着芯片市场的需求扩大，集成电路
设计行业对高端技术人才的需求也不断增加，人才的竞争日趋激烈。虽然公司采取
了股权激励等一系列稳定和吸引核心技术人才的措施，但若未来公司核心技术人才
大规模流失，或者随着公司规模的逐渐扩大，未能引进足够的专业技术人才，将对
公司的产品开发、生产经营和市场竞争产生不利影响。
（三）经营风险
1、供应商集中度较高的风险
公司采用Fabless经营模式，供应商包括晶圆代工厂、晶圆测试厂、芯片封测厂等
。基于行业特点，符合公司技术及代工要求的供应商数量较少，报告期内向前五名
供应商合计采购金额占比为82.21%，占比较高。由于集成电路领域的专业化分工和
技术门槛高，如果公司不能与主要供应商保持良好的合作关系，短时间内难以更换
至合适的新供应商。此外，未来若主要供应商经营发生不利变化，芯片上游行业产
能紧张局面进一步加剧，主要供应商自身产能建设滞后，导致公司产能供应不足或
受限，将对公司生产经营产生不利影响。
2、产业链上下游波动风险
在Fabless经营模式下，产业链上游晶圆代工厂生产所需的硅晶片和其他关键原材
料需要对外采购并依赖进口。未来，若受上游原材料价格上涨、晶圆代工厂产能紧
张加剧等因素影响，导致公司原材料价格、委外加工费用攀升，将对公司产品成本
控制和毛利率造成不利影响。
（四）财务风险
1、毛利率波动风险
2025年上半年度公司产品所处行业市场竞争激烈，为加大出货量和占据市场份额，
公司主要产品平均销售单价较去年同期均出现下滑，导致公司2025上半年综合毛利
率水平仍然处于较低水平，2025年上半年公司综合毛利率为12.31%。公司主要产品
NOR Flash存储芯片及MCU芯片属于通用产品，毛利率受下游市场需求、产品售价、
产品结构、委外加工成本及公司技术水平等多种因素影响。若上述因素发生变化，
如委外加工服务供应紧张或者涨价、下游市场供给和需求发生不利变动或竞争格局
加剧导致产品售价下降、成本上升等，将导致公司毛利率下降，从而影响公司的盈
利能力及经营业绩。
2、期末存货规模较大及跌价风险
报告期末公司存货账面价值为33,360.38万元，占期末流动资产的比例为24.93%，
公司存货主要由委托加工物资及库存商品构成。公司根据下游需求及合理备货保证
产品供应。公司根据存货的可变现净值低于成本的金额计提存货跌价准备，报告期
期末存货跌价准备余额为8,894.59万元，若未来市场竞争加剧或技术更新升级等导
致现有市场供需格局变动、产品价格向下波动，将导致公司存货跌价风险增加，对
公司的盈利水平产生不利影响。
3、应收账款回收风险
报告期期末，公司应收账款账面价值为14,444.49万元，占流动资产的比例为10.79
%。应收账款余额占当期营业收入的比例为84.68%。若下游客户财务状况出现不利
变化或其他原因导致不能及时回款，公司可能存在应收账款无法回收的风险，进而
对公司未来业绩造成不利影响。
（五）宏观环境风险
（1）根据安徽省科学技术厅、安徽省财政厅、国家税务总局安徽省税务局联合颁
发的《关于公布安徽省2023年第二批高新技术企业认定名单的通知》（皖科企秘〔
2024〕10号），本公司被认定为安徽省2023年度第二批高新技术企业，并获发《高
新技术企业证书》（证书编号：GR202334006478），有效期3年。按照《企业所得
税法》等相关法规规定，本公司自2023年1月1日至2025年12月31日三年内享受国家
高新技术企业15%所得税税率。
（2）根据国务院印发的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政
策的通知》（国发〔2020〕8号），国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装
、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年
至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
（3）根据财政部、税务总局《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告
》（财政部税务总局公告2023年第7号），企业开展研发活动中实际发生的研发费
用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自2023年1月1
日起，再按照实际发生额的100%在税前加计扣除；形成无形资产的，自2023年1月1
日起，按照无形资产成本的200%在税前摊销。
如果未来公司所享受的税收优惠政策发生较大的变化，将对公司未来业绩造成不利
影响。
（六）其他风险
1、规模扩张导致的管理风险
公司目前处于快速发展期，随着募集资金项目的实施，公司的人员、资产、业务规
模都将进一步扩张，公司在资源整合、公司治理、内部控制、管理模式等方面都将
面临更高的要求。若公司不能及时提高管理能力、培养引进高素质管理人才，更好
地适应公司进入新的发展阶段带来的变化，则可能降低公司经营效率，使公司面临
管理风险。
2、募投项目实施风险
报告期内，公司根据研发战略规划和实际发展情况对部分募投项目进行变更及延期
，变更后公司募集资金主要投资于“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“MCU芯
片升级研发及产业化项目”、“面向端侧AI的低功耗软硬件推理系统研发项目”和
“发展与科技储备项目”四个项目，投资总额为75,388.00万元。上述项目的实施
将有助于公司现有产品的升级、出货量的增加和新产品的早日投产。虽然公司对募
集资金投资项目进行了市场和技术方面的可行性分析论证，但在实施过程中，若出
现产业政策变动、行业技术迭代超过预期、产品研发或者市场化推广失败，则公司
存在募集资金投资项目无法达到预计实施进度和效果的风险。
【4.参股控股企业经营状况】
【截止日期】2025-06-30
┌─────────────┬───────┬──────┬──────┐
｜企业名称 ｜注册资本(万元)｜净利润(万元)｜总资产(万元)｜
├─────────────┼───────┼──────┼──────┤
｜香港恒烁半导体有限公司 ｜ 2377.38｜ 186.34｜ 3800.90｜
└─────────────┴───────┴──────┴──────┘
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