☆经营分析☆ ◇688230 芯导科技 更新日期：2026-02-05◇
★本栏包括 【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.经营投资】【4.参股控股企业经营状况】
【1.主营业务】
功率半导体的研发与销售。
【2.主营构成分析】
【2025年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜集成电路 ｜ 39360.75｜ 12926.62｜ 32.84｜ 100.00｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜功率器件 ｜ 36050.77｜ 11941.83｜ 33.13｜ 47.81｜
｜TVS ｜ 22154.52｜ 7218.77｜ 32.58｜ 29.38｜
｜MOSFET ｜ 8903.82｜ 3103.40｜ 34.85｜ 11.81｜
｜肖特基 ｜ 3668.42｜ 1221.39｜ 33.29｜ 4.86｜
｜功率IC ｜ 3309.98｜ 984.79｜ 29.75｜ 4.39｜
｜其他 ｜ 1324.01｜ 398.27｜ 30.08｜ 1.76｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜中国大陆 ｜ 36650.54｜ 11868.69｜ 32.38｜ 93.11｜
｜中国大陆以外地区 ｜ 2710.21｜ 1057.93｜ 39.04｜ 6.89｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜经销 ｜ 38601.02｜ 12600.41｜ 32.64｜ 98.07｜
｜直销 ｜ 759.73｜ 326.21｜ 42.94｜ 1.93｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2025年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜功率器件 ｜ 16589.15｜ 5592.32｜ 33.71｜ 90.93｜
｜功率IC ｜ 1653.77｜ 471.60｜ 28.52｜ 9.07｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜上海 ｜ 18242.92｜ 6063.92｜ 33.24｜ 50.00｜
｜中国大陆 ｜ 18242.92｜ 6063.92｜ 33.24｜ 50.00｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜集成电路 ｜ 35294.17｜ 12150.21｜ 34.43｜ 100.00｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜功率器件 ｜ 31640.48｜ 11482.35｜ 36.29｜ 47.27｜
｜TVS ｜ 19846.94｜ 6968.74｜ 35.11｜ 29.65｜
｜MOSFET ｜ 7368.32｜ 3015.12｜ 40.92｜ 11.01｜
｜功率IC ｜ 3653.69｜ 667.86｜ 18.28｜ 5.46｜
｜肖特基 ｜ 3076.72｜ 1082.35｜ 35.18｜ 4.60｜
｜其他 ｜ 1348.50｜ 416.14｜ 30.86｜ 2.01｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜中国大陆 ｜ 31953.09｜ 10814.17｜ 33.84｜ 90.53｜
｜中国大陆以外 ｜ 3341.08｜ 1336.04｜ 39.99｜ 9.47｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜经销 ｜ 34916.37｜ 11985.24｜ 34.33｜ 98.93｜
｜直销 ｜ 377.80｜ 164.97｜ 43.67｜ 1.07｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜功率器件 ｜ 14015.54｜ 5109.07｜ 36.45｜ 89.95｜
｜功率IC ｜ 1565.26｜ 481.16｜ 30.74｜ 10.05｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜中国大陆 ｜ 15580.80｜ 5590.23｜ 35.88｜ 50.00｜
｜上海 ｜ 15580.68｜ 5590.18｜ 35.88｜ 50.00｜
｜无锡 ｜ 0.12｜ 0.04｜ 37.04｜ 0.00｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【3.经营投资】
【2025-12-31】
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明：
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为功率半导体的研发与销售，公司功率半导体产品包括功率器件和功
率IC两大类，公司产品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能
等领域。
（1）功率器件
公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效
应晶体管（MOSFET）、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaN HEMT）、绝缘栅
双极型晶体管（IGBT）、碳化硅（SiC）等。其中，公司的TVS产品主要为ESD保护
器件。
（2）功率IC
公司的功率IC产品主要为电源管理IC,具体包括负载开关芯片、线性充电芯片、单
节锂电池充电芯片、过压保护芯片、音频功率放大器、DC-DC类电源转换芯片、氮
化镓驱动IC等。
(二)主要经营模式
公司自设立以来一直采用Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在Fabless模式
下，公司专注于功率半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外
协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，由外协厂商负责生产。
（1）产品研发模式
公司采用Fabless经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终
密切关注行业前沿技术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台
，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产品种类和型号，拓展应用领域，从而
实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。
（2）采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的Fabless经营模式，专注于功率半导体产品的研发和
销售环节，晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。
（3）销售模式
根据行业、产品及市场情况，公司主要采劝经销为主，直销为辅”的销售模式。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局2017年修订的《国民经济行
业分类》（GB/T4754-2017），公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他
电子设备制造业”。
2025年度，全球半导体市场呈现增长态势，美国半导体行业协会（SIA）宣布，202
5年11月全球半导体销售额753亿美元，环比增长3.5%，同比增长29.8%。世界半导
体贸易统计组织(WSTS)预计2025年全球半导体营收将同比增长22.5%至7,720亿美元
，2026年将进一步增长26.3%，达到9,750亿美元。
面对美国及其盟国对中国在半导体生产设备、设计软件及相关原材料方面实施的一
系列管制措施，实现中国集成电路产业的自主可控的目标变得尤为迫切。在这种复
杂的外部环境下，国产替代进口的需求空间巨大。近年来，我国在半导体功率器件
领域加大了研发投入，积极推动技术创新，通过自主研发和引进先进技术，我国在
MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用
上取得了重要突破，与国际先进水平的差距在不断缩校
据美国半导体行业协会（SIA）数据，2025年11月，中国大陆销售额环比增长3.9%
，同比增长22.9%；预计全年销售额将突破1,800亿美元，占全球市场份额约27.8%
。
目前，公司产品主要包括功率器件和功率IC，功率器件产品主要为TVS（包括ESD保
护器件）、MOSFET、肖特基等；功率IC产品主要为电源管理IC。公司产品具有高性
能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工
业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领
域的同时，也在积极将产品向汽车电子、光伏储能等领域拓展。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、上海
市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市“专精特新
”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。
公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和
功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。公司的功率器件及功率IC产品，具有高
性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（TI）、安森美（ON
Semiconductor）、商升特半导体（Semtech Corporation）等国外半导体厂商占
据，国产化替代空间巨大。随着公司产品不断向汽车电子、光伏储能及人工智能等
领域拓展，公司产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）半导体市场发展趋势
根据Yole预测，全球半导体市场在2023年短期调整后，2024年迅速反弹至6,720亿
美元，同比增长27%，2025年将进一步增长至7,770亿美元，2030年有望突破9,980
亿美元，期间年复合增长率达6.8%。全球半导体行业在经历短期波动后重回增长通
道，产业链正迎来由生成式人工智能、电动汽车、数据中心等新兴应用驱动的新一
轮扩张周期。技术快速迭代与全球性区域竞争相互交织，共同构成了当前行业高度
活跃的发展格局。
由于中美科技摩擦不断，美对华技术封锁措施持续出台，加之全球多区域加强本土
半导体产业的扶持，半导体产业呈现明显的逆全球化趋势。我国从中央到地区纷纷
出台了多项支持半导体产业发展的政策，各地政府也加强建设集成电路等产业集群
，通过实施一系列政策措施，加强半导体产业链的建设和完善，推动国产替代和自
主可控的发展。在国家政策与市场需求的双重驱动下，国产替代进程加速进行，本
土厂商持续加大研发投入，不断取得技术突破。
复杂的外部环境因素迫使集成电路产业实现自主可控要求越来越迫切，国产替代进
口需求空间巨大，具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。国内终端厂
商逐步将供应链转移至国内，有助于真正发挥上下游联动发展的协同作用，半导体
产业的国产替代持续加速进行，为中国本土企业提供更多的发展机遇和市场空间。
当前半导体产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化
硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移
速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注，将成为新型的半导体材料。
SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，相关产品的技术开发具有应用战略性和前瞻
性。GaN功率器件开关频率高、导通电阻孝电容孝禁带宽度大、耐高温、能量密度
高、功率密度大，可在高频情况下保持高效率水平工作，将有望被广泛运用于5G通
讯、智能电网、快充电源、无线充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加入
了第三代半导体器件的开发行列。
展望未来，国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十五五”规
划（2026-2030年）将半导体/芯片产业置于战略核心，以全链条自主可控、关键技
术突破与生态协同为核心，目标是2030年实现成熟制程自主可控、先进制程技术突
破、高端芯片自给率显著提升。
（2）智能消费类电子领域
智能手机方面，国际数据公司（IDC）预计，2026年中国智能手机市场出货量约2.7
8亿台，同比下降2.2%。然而，2026年中国新一代AI手机出货量将达1.47亿台，同
比增长31.6%，占整体市场53%。
智能眼镜方面，在AI的赋能下，智能眼镜市场正从通用型产品向场景化解决方案转
变，有望成为手机、汽车、智能家居等终端的关键信息输入端口。IDC预计，2026
年智能眼镜市场将迎来规模化拐点，全球智能眼镜市场出货量预计将突破2,368.7
万台，其中中国智能眼镜市场出货量将突破491.5万台。
公司积极推动产品升级迭代，基于自有的成熟设计模块，推陈出新，开发出了效率
更高、更智能化的全系列充电芯片、保护芯片等产品。公司针对移动终端小型化的
场景推出了超小封装产品系列，以其高性能、低损耗、低漏电的特点，不但助力客
户产品实现更紧凑的功能布局，打造轻巧精致的设备外观，更为其安全使用保驾护
航。
（3）功率半导体
受益于双碳时代背景，以新能源汽车、新能源发电为代表的产业将迎来长期发展机
会，功率器件作为核心零部件也将随之迎来发展机遇。功率器件持续迭代升级，向
高压、高功率、低功耗方向发展。功率器件从二极管、晶闸管发展到MOSFET、IGBT
，再到第三代半导体器件，经历了长期的技术积累和产品迭代，技术门槛不断提高
。随着电动汽车、新能源发电、工业控制等下游应用的快速发展，对高压、高电流
、高频率、高功率的需求推动功率器件厂商不断优化升级，在更新换代的过程国产
厂商有望实现新突破。全球功率半导体尤其是高端的功率器件主要被英飞凌、安森
美、三菱、富士等欧美日大厂占据，国产厂商未来提升空间巨大。
二、经营情况讨论与分析
公司始终秉承“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现
客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”的使命，凭借优秀的研发团队及其强大
的研发能力，通过不断的技术积累和沉淀，拥有搭建功率半导体技术平台的能力，
并在此基础上对产品不断进行更新迭代。
目前，公司在各类细分产品及应用领域的技术平台开发上取得了显著成果。针对TV
S产品，已陆续开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平
台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工
艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；针对MOSFET产品，先后开发了
平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进
型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；对于肖特
基产品，已开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术
平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；针对第三代半导体产品
，公司开发了高压GaN HEMT技术平台、低压GaN HEMT技术平台；高压平面型SiC MO
S技术平台、SiC JBS结势垒技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT
技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。在IC产品方面，公司的技术平
台涵盖了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、D
C-DC技术平台、负载开关技术平台。公司紧跟客户需求的变化与技术的进步，在现
有技术平台的基础上不断推陈出新、迭代升级，持续推出新一代产品以满足市场需
求。
（一）报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入39,360.75万元，较上年同期增长11.52%；实现利润
总额11,448.24万元，较上年同期减少4.98%；归属于上市公司股东的净利润10,615
.29万元，较上年同期减少4.91%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的
净利润6,888.64万元，较上年同期增长17.54%。报告期末，公司总资产232,940.31
万元，较上年末增长0.06%；归属于上市公司股东的所有者权益227,049.38万元，
较上年末增长0.28%。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、夯实技术根基，强化核心优势
作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司一直坚持以自主技术
创新为基础，坚持技术领先战略，不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下
游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对
现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。
在功率器件方面，报告期内公司总计发布了150余款功率器件新产品。发布保护器
件ESD、TVS等70余款，极低容值SCR ESD（Cj≤0.15pF）、超强浪涌防护SCR ESD（
超低Vc，超大Ipp=18A）、超小尺寸ESD(CSP0402-2L)等产品，获得头部客户广泛认
可。创新研发的超低容值SBD产品，在部分关键参数上赶超国际前沿水平，卓越的
高频特性使其能够充分满足射频C/Ku波段应用的严苛要求，展现出巨大的应用潜力
。发布功率器件MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiC SBD等80余款，高压GaN HEMT技
术平台、低压GaN HEMT技术平台，高压平面型SiC MOS技术平台、SiC JBS结势垒技
术平台等进一步完善，产品系列日益丰富。40V低压双向GaN产品达到国际前沿水平
，实现多个项目量产出货，获得高端消费电子市场认可。通过对小信号MOSFET、VB
USMOSFET、同步整流MOSFET及电机驱动MOSFET等全线产品的制造工艺进行持续迭代
与优化，其关键性能指标与成本优势得到显著增强。得益于更高的性价比，这些产
品在PD快充电源、移动电源及家用AI智能机器人等目标市场的占有率实现了进一步
扩大。
在功率IC方面，报告期内公司发布了14款功率IC新产品。多项专利实现产品化落地
，驱动成本优化与性能突破。创新性地采用单引脚多功能复用架构，在充电IC中集
成充电电流设定、电压反馈与状态指示功能，大幅缩减引脚数量与封装成本；专用
PMIC内置电荷泵技术，使NMOS器件完全兼容传统PMOS方案，兼顾高性能、低导通损
耗与高性价比，为电源路径设计提供灵活选择；业界领先的高可靠性OVP IC在Vin
端集成防反接保护与NTC（负温度系数）温度监测功能，显著提升系统安全性与热
管理能力，输入端浪涌耐受能力达±350V，引领行业前沿水平。
2、布局产业链条，构建协同生态
围绕公司整体战略布局，公司始终密切关注着在技术、产品及业务层面与公司具有
较高协同效应的优质资源，聚焦于汽车电子、风光储充等应用领域的相关标的。公
司积极挖掘投资并购机会，有效整合产业链上下游资源，持续优化产业布局，助力
公司实现高质量发展。
报告期内，公司发布《发行可转换公司债券以及支付现金购买资产并募集配套资金
预案》，积极推进收购上海瞬雷科技有限公司（以下简称“瞬雷科技”）、上海吉
瞬科技有限公司（以下简称“吉瞬科技”）事项。标的公司拥有独立自主的生产工
厂，可以实现从晶圆研发设计、生产制造到成品封装测试的完整生产环节。其在汽
车电子、安防仪表、民爆化工、工业等多个下游应用领域建立了稳固的客户基础和
销售渠道。
本次交易完成后，借助设计与制造的协同效应，有助于公司加强供应链管控能力，
更好地进行资源统筹，进一步提升产品质量、生产效率与成本效益，有利于公司实
现从Fabless到Fab-lite模式的发展战略。同时，公司可以借助标的公司的优质客
户资源进入到汽车电子、安防仪表、民爆化工、工业等多个领域，丰富公司产品矩
阵，进一步完善公司在功率半导体的布局。
3、深化品牌影响，巩固合作关系
公司始终以客户需求作为第一需求，积极参加行业展会、论坛，及时掌握行业动态
及客户需求，促进与合作伙伴的交流合作，进一步加强品牌宣传力度，提升公司知
名度。提高产品质量，提升服务水平，为客户提供更丰富的产品和更优质的服务，
赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长，维护公司品牌形象。
报告期内，公司积极开展市场推广与行业交流活动，在上海总部成功举办2025（春
季）产品推介会暨合作伙伴大会，汇聚了近百位行业专家与长期合作伙伴共谋机遇
。公司先后参与2025（春季、秋季）亚洲充电展、NEPCON China 2025中国国际电
子生产设备暨微电子工业展览会、2025世界移动通信大会（上海）、第十三届CSEA
C展会、AMTS国际汽车制造技术与装备展览会及2025亚洲AI音频大会等行业重要活
动，集中展示了涵盖Trench MOS、SGT MOS、SJ MOS、GaN HEMT、GaNIC、SiC SBD
、ESD等产品，以及公司产品在PD电源、移动电源、无线充电、工业电源、服务器
电源、工业机器人关节驱动、高端伺服系统、5G、4G、蓝牙、Wifi等多领域的应用
方案。同时，在第十三届CSEAC展会同期举办的“功率及化合物半导体产业发展论
坛”中，公司受邀发表题为《氮化镓功率器件技术发展与应用》的专题演讲，分享
了公司在GaN功率器件方面的技术突破与产业化成果。
报告期内，公司凭借卓越的产品品质、出色的服务态度和高效的交付能力，荣获传
音控股颁发的“2024优秀供应商奖”、荣获AI智能解决方案商微克科技颁发的“年
度战略合作伙伴奖”，这些殊荣不仅是对过去双方紧密合作的肯定，更是对未来广
阔发展前景的期许。同时，公司积极践行社会责任，还获得了价值在线颁发的“20
25年度上市公司ESG价值传递奖”。
4、广纳天下英才，积蓄发展动能
公司始终重视人才为发展的第一资源，坚持将人才梯队建设置于战略核心，致力于
构建支撑长远发展的高素质专业团队。以2025年春季、秋季校园招聘为契机，公司
寻访上海、西安、南京、长沙等地十余所学府，深入南京大学、东南大学、西安交
通大学、西安电子科技大学、湖南大学、湖南师范大学、中南大学等院校，精准对
接集成电路工程、电子信息、电子科学与技术等核心专业，为公司持续壮大高素质
人才梯队、注入新鲜血液提供了坚实保障，为技术创新与业务拓展积蓄了核心动能
。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术和研发优势
公司作为功率半导体设计企业，拥有完善的技术创新体系、强大的研发能力和一定
的技术优势。经过多年的技术积累，凭借强大的研发投入及优秀的研发团队，公司
已经自主研发出一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术
、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节
占空比的环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术、一
种GaN HEMT器件制备技术、一种SiC MOS器件制备技术、IGBT通用沟槽栅技术、IGB
T精细沟槽栅技术等。该等核心技术使得公司芯片产品及应用方案在性能、尺寸、
功耗、兼容性等方面较为先进。
得益于国内FAB厂的技术沉淀与发展，结合国内设计公司的设计优势，目前部分国
产功率器件的性能基本与国际大厂相当；公司的部分TVS、MOSFET等功率器件产品
在技术上处于国内前列，与国际大厂的技术相当。
在功率IC产品方面，公司在快充领域深耕多年，已有多条成熟量产的产品线，覆盖
了PSC、PB、PLC系列。针对市场上激烈的价格竞争，公司不断推进产品的更新迭代
，持续实现充电和OVP产品的成本优化和性能优化。公司还在不断扩充充电产品线
，完成了同步/异步双节和多节升压开关充电IC的设计。
2、新产品开发优势
在功率半导体新产品开发方面，公司高度注重客户的需求及意见反馈，在新产品开
发设计方面具有一定的优势。受益于国产替代，公司凭借较好的技术储备和一定的
研发优势，结合下游客户需求及行业发展趋势，对现有产品不断进行更新迭代，为
后续销售收入的增长打下了良好的基矗
3、产品供应优势
近年来，公司基于在功率半导体领域已有的研发优势和下游客户资源优势，不断丰
富和优化产品类别，进一步优化供应商管理，完善产品供应体系，公司的产品供应
能力得到了较高的提升。公司合作的晶圆、封测等主要厂商大多为行业内知名厂商
，产品供应得到有效的保证。
4、终端客户优势
半导体行业上下游产业链之间具有高度的粘性，下游应用行业对产品质量和供应商
的选定有严格的要求，一旦对选用的半导体产品经过测试、认证并大规模使用之后
不会轻易更换供应商。终端客户与供应商建立合作前，会对供应商的整体资质进行
评价，从供应商的整体规模、产品结构、现有客户结构多维度了解相关情况，并由
专人进行现场审核，审核通过后，方可进入终端厂商的合格供应商体系；待双方合
作关系建立后，终端客户在供应商产品进入批量供应前通常需要对产品进行认证，
认证流程主要包括：样品性能测试、整机性能测试、综合可靠性测试、小批量试产
评估等。由于终端客户的认证体系复杂且认证周期较长，一般的功率器件设计企业
开拓品牌客户的难度较大。
公司一直注重客户需求，高度重视产品质量管理和客户关系维护，通过快速的客户
服务和高效的客户反馈响应机制，既保证快速满足客户需求又能够紧跟市场变化，
确保公司产品持续更新、保持先进水平。凭借自身较强的产品技术、丰富的产品种
类、优良的产品质量以及优质的服务，公司产品成功应用于下游行业内如小米、TC
L、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等ODM客户。
5、品牌优势
公司各类产品广泛应用于小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等ODM
客户。多年来，公司在行业中积累了良好的口碑，形成了一定的品牌优势，公司产
品的客户认知度和忠诚度均较高，公司品牌获得了客户和经销商的认可。随着公司
业务的增长，公司将进一步提升公司品牌优势，与业绩增长形成良性循环。
6、营销及服务网络优势
公司总部位于上海张江高科技园区，全资子公司设立在无锡经济开发区，以国内销
售为主，拥有本土优势和营销网络优势，具备丰富的客户资源和较高的品牌知名度
。公司通过“经销+直销”的方式建设营销网络，可快速响应客户需求。为贴近客
户并提供专业服务，公司在上海和深圳建立了技术服务中心，配套专业测试设备，
为客户提供“一站式”技术支持，不但提高了客户满意度，与客户建立起紧密而稳
定的合作关系，同时提升了品牌知名度，增强了市场竞争力。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措
施
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和
功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。
在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了TVS、肖特基、稳
压管等产品的低漏电和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深
槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性
，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占用，同时提
升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；MOSFET的沟槽优化技术实现了MO
SFET产品的低导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发
热；沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、
低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗；一种GaN HEMT器件制备技术，优化
了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得GaN
HEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性；一种SiC MOS器件制备技术，通过
二次外延方式在栅极底部引入二次栅氧层，从而平衡栅极底部耐压分布，减小栅极
承受耐压，从而提升器件可靠性；IGBT通用沟槽栅技术优化了载流子浓度和传输路
径，减少了导通损耗和开关损耗，提升了产品使用效率；IGBT精细沟槽栅技术实现
了芯片的通流能力和闩锁能力的提升，同时进一步降低了正向导通压降及损耗，芯
片面积和性能得到了平衡，适合在新能源系统上应用。
报告期内，公司不断丰富产品阵容，在TVS、MOSFET、肖特基、GaN HEMT、IGBT、S
iC等产品方面持续保持研发动力，使产品更加齐全、性能不断优化。
在TVS产品方面：A.公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力的5V 12V ESD产
品已经在多个大客户实现量产出货，出货量不断提升，该系列产品目前具有国内领
先优势，与此同时该系列新增的20V产品已经推荐到多个大客户的项目中。此系列
产品不断进行技术迭代，新一代的5V Bi具有更低电容性能的产品已经正式发布。
B.具有0.15pF极低容值的SCR ESD产品，目前已经形成性能高、低搭配的两个细分
系列产品，产品覆盖了5-30V工作电压，20V电压档已经在大客户量产出货，该系列
产品在国内具有领先优势。目前已经立项开发下一代0.15pF极低容值的高Vhold技
术的SCR ESD产品，此系列产品在应用领域上更加广泛，在成本上更具有优势。
C.已立项开发具有高Vhold技术的强浪涌防护能力的SCR ESD系列产品，系列产品包
括5V 12V 15V 20V等工作电压。该系列产品的技术特点，可以满足客户预防带有直
流影响的接口保护，可以避免保护过程中出现闩锁问题。
D.公司通过技术迭代，对具有超低钳位电压、超大泄放电流的TVS系列产品不断的
优化产品性价比；同时针对大客户的具体应用需求，为该系列补充了突出正向浪涌
保护能力和负向保护能力的高性价比产品，并已经量产。
在MOSFET产品方面：A.低压具有超低导通阻抗和超低栅极电荷的MOSFET产品，继续
针对电源升降压和保护应用，开发和优化具有高效率的SGT MOSFET系列产品，进一
步壮大产品阵容，其中40V0.65mR的极低容值的SGT MOSFET在服务器电源、算力电
源等产品的同步整流应用中，以综合性能优势已经设计到多个客户的下一代产品中
。此外在OVP OTP应用中，完成了下一代产品的开发，相较上一代产品具有同等性
能的同时，芯片出芯率更高。针对电机驱动应用，依托公司的SGT MOS技术平台开
发的超低导通阻抗和超低栅极电荷的MOSFET产品具有更低损耗、更强的抗冲击能力
，以及高开关频率等优势，已进入到纺织机械电控等领域，目前部分产品已经进入
到小批量出货阶段。
B.中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET，不断丰富和优化的产品阵容，包括
了100-150V的PMOS、SGT MOSFET产品，以及更高性能的中压SGT MOSFET产品，均已
实现批量出货；目前正在向150V以上耐压能力的中压SGT MOSFET突破，性能定位为
200V 250V超低Rdson，超高开关频率，适用于大功率电机和电源方面应用的产品。
C.目前在国内WLCSP MOS代工可靠性能力得到提升后，基于公司的低压Trench MOSF
ET技术平台，开发的具有超小尺寸、超低导通阻抗的WLCSP封装的共漏和共源MOSFE
T产品，已经在多个客户处推广、验证，将在快充通道及锂电池保护管理等应用中
，为客户提供更低的导通阻抗、更小的尺寸、更可靠的性能的产品和解决方案。
在肖特基产品方面：具有0.25pF超低容值，以及DFN0603超小封装的高速肖特基产
品正式发布，并在多个客户进行推广并验证。同时还在不断完善该系列的产品阵容
。
在GaN HEMT产品方面：公司650V Cascode结构GaN HEMT有序开发中，目前初步形成
了50-3000mR系列产品。中低压GaN HEMT产品（40V~150V）有序开发中，其中40V双
向GaN产品已在客户端实现量产出货。
在IGBT产品方面：公司600V-1350V单管产品已形成系列化；1200V/1700V大电流产
品持续开发中，1200V 150A/200A、1700V 200A芯片已定型，客户测试验证中，120
0V 100A、1700V 150A等系列化产品陆续进行流片产出。
在SiC产品方面：公司SiC产品，包含SiC SBD系列和SiC MOSFET系列。SiC SBD系列
包含650V/1200V/1700V电压档，其中650V SBD产品已在PD客户端出货，1200V SBD
产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700V SBD产品陆续产出。SiC MOSFET
系列包含650V/1200V/1700V电压档，正在有序开发中，其中1200V产品在充电桩、
逆变器等领域均有客户验证测试中，650V产品在PD快充、适配器等客户方案验证中
。
在功率IC方面，公司重点开发了多项具备高集成度与先进性能的核心电路技术：针
对IO口的小型化浪涌保护电路，融合ESD防护与20V浪涌泄放能力，显著节约封装成
本并减少外围器件需求；高阶温度补偿带隙基准电路，可适配各类架构带隙基准，
实现精准的高阶温度补偿；创新型MOS驱动电路，通过内部驱动设计与灵活接地配
置，仅需3引脚封装即可驱动NMOS开关，并较好兼容PMOS应用；多功能GPIO接口复
用电路，通过引脚复用使充电IC在6引脚封装内集成充电电流/电压控制、LED指示
等功能，大幅降低封装成本。
报告期内，公司持续推进产品系列化与类型拓展，加速产品迭代升级：
①过流过压保护类IC
30V/115mΩ带反接保护产品已通过品牌客户验证，实现量产；高压OVPIC已完成MPW
验证。
②线性充电类IC
集成放电管理的1A线性充电IC及集成放电管理的低成本0.6A线性充电IC已在多客户
项目中验证通过。
③开关充电类IC
采用精简外围BOM的2A大电流开关充放电IC已完成MPW样品验证；低成本2A开关充电
IC已通过MPW验证，进入NTO流片准备阶段。
2、报告期内获得的研发成果
截至2025年12月31日，公司现行有效知识产权累计141项，其中发明专利38项，实
用新型38项，另有集成电路布图设计专有权59项，商标6项。报告期内，公司获得
新增授权知识产权25项。
3、研发投入情况表
4、在研项目情况
5、研发人员情况
6、其他说明：
四、风险因素
(一)尚未盈利的风险
(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
(三)核心竞争力风险
1、产品升级换代的风险
集成电路设计行业产品更新换代及技术升级速度较快，在公司产品主要应用的以手
机为主的消费类电子领域，终端产品的更新换代较快，公司需根据下游需求和技术
发展趋势对产品进行持续创新，从而维持技术先进性。公司产品具有一定的迭代周
期，一般为3-5年左右。公司未来若未能准确把握下游客户需求或不能持续推出适
应市场需求的产品，将面临公司竞争力下降的风险；且由于功率半导体产品的升级
换代需要一定周期，如果公司产品更新换代的进度未达预期或无法在市场竞争中占
据优势，将对公司的经济效益产生不利影响。
2、技术泄密风险
公司所属的功率半导体行业具有技术密集的特点，核心技术保密对公司的发展尤为
重要。如果公司在经营过程中因核心技术信息保管不善导致核心技术泄密，将对公
司的竞争力产生不利影响。
(四)经营风险
1、产品收入结构较为集中，存在产品单一的风险
公司主营业务收入来源于功率器件和功率IC。功率器件主要产品为TVS、MOSFET和
肖特基等，其中TVS产品收入占比较高，占主营业务的收入比例为56.29%，未来若
因技术升级不及预期、市场竞争加剧或下游应用领域如手机的出货量下降等因素影
响，导致主要产品TVS产品的生产或销售出现不利变化，则将对公司现金流、盈利
能力产生不利影响。
2、公司产品下游应用主要以手机为主的消费类电子领域，受下游手机出货量影响
较大的风险公司产品下游应用领域包括消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域
，目前主要应用于以手机为主的消费类电子领域。受下游应用领域集中度较高的影
响，全球智能手机出货量对公司产品的销售影响较大。若未来下游消费类电子产品
需求量出现波动，如手机市场需求萎缩，或公司在其他应用领域的技术研发及市场
开发不及预期，则会对公司的业绩造成一定不利影响。
3、市场竞争风险
公司所处的功率半导体行业属于技术密集型行业，技术门槛较高。目前国内功率半
导体市场的主要参与者仍主要为欧美企业，具有ESD保护器件研发设计能力的国内
企业相对较少，随着功率半导体新技术、新应用领域的大量涌现，对功率半导体设
计企业的研发提出了非常高的技术要求。尤其是部分竞争对手采用IDM模式，在市
场地位、技术实力以及产能保障方面具备一定优势，公司与该等竞争对手相比尚存
在差距。如果公司未能准确把握市场和行业发展趋势，持续提升市场地位和技术水
平，以及加大产能保障，将会导致公司竞争能力下降，从而对公司的经营业绩产生
不利影响。
4、关于公司产品市场拓展的风险
报告期内，公司以境内销售为主，境外销售占比较低，主要系公司根据目前的发展
程度，将主要精力集中在境内市场开拓，在境外销售策略上采取跟随终端品牌客户
境外拓展的策略。考虑公司TVS及ESD产品已经成功进入小米、传音、TCL等手机品
牌厂商以及华勤、闻泰、龙旗等手机ODM厂商，在境内市场取得一定的市场地位，
公司未来将加强TVS及ESD产品对境外市场的主动开拓，提升产品的市场份额及品牌
影响力。
此外，随着公司MOSFET和功率IC相关产品的开发以及在终端客户的持续推广，上述
产品的销售收入会持续增加。但上述产品目前占整体市场份额较小，短期内上述产
品的市场开拓还将围绕目前的主要客户群体在境内进行开拓。
因此，在上述产品的市场拓展过程中，若因TVS及ESD产品境外市场开拓不顺利、产
品开发不及预期或下游测试认证出现不利因素，将对公司业绩增长造成不利影响。
5、客户相对集中度较高的风险
报告期内，公司对前五名客户销售收入合计占当期营业收入的51.39%，集中度相对
较高。如果未来公司主要客户的经营、采购战略产生较大变化，或由于主要客户的
经营情况和资信状况发生重大不利变化，将对公司经营产生不利影响。
如果公司未能准确把握市场和行业发展趋势，持续提升市场地位和技术水平，竞争
能力有可能下降，从而对公司的经营业绩产生不利影响。
6、市场变化的风险
公司的产品主要用于手机、平板和可穿戴设备等消费类电子产品，上述消费类电子
产品的市场变化对公司业绩产生一定的影响。未来随着人工智能、物联网、5G等新
兴领域的迅速发展，功率半导体的需求将会随之增加。但如果未来发生市场变化，
将导致公司下游市场需求波动，进而影响公司经济效益。
7、客户认证失败的风险
公司多款型号的产品在对客户进行批量供应前，都需要通过终端客户的测试认证。
由于公司所属的功率半导体行业具有产品更新换代较快的特点，因此，每年都会有
多款产品需要终端客户认证，若终端客户测试认证失败，公司产品将不能在终端客
户形成销售，可能导致公司营业收入和市场份额下降的情况，对公司盈利能力产生
不利影响。
8、产品质量控制的风险
公司的主要产品主要应用于消费电子领域，服务于市场的智能终端设备的品牌客户
，其中包括小米、TCL、传音等知名品牌，下游客户对产品质量有着严格的要求。
如果未来公司质量控制工作出现疏忽或因为其他原因影响产品的质量，可能给公司
带来法律、声誉及经济方面的风险。
(五)财务风险
1、存货跌价风险
公司存货主要由原材料、委托加工物资和库存商品构成。报告期末，公司存货账面
价值为4,660.16万元、存货跌价准备期末余额为354.21万元，占期末存货余额的比
例为7.06%。若未来市场环境发生变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术更新
，将导致产品滞销、存货积压，从而导致公司存货跌价的风险增加，对公司的盈利
能力产生不利影响。
2、毛利率波动的风险
报告期内，公司综合毛利率为32.84%，随着未来功率半导体产品的应用领域不断拓
展和深入，以及行业内竞争格局的变化，将导致公司下游市场需求出现波动的可能
，因此，公司的核心技术优势、持续创新能力、公司供应链管理水平以及公司新产
品的升级迭代周期等多个因素都可能影响公司毛利率水平，若上述因素发生重大变
化，公司产品将面临毛利率波动的风险。
3、税收优惠政策变化风险
报告期内，公司享受的税收优惠政策主要系“国家规划布局内集成电路设计企业”
优惠税率及研发费用加计扣除等相关税收优惠政策。根据《中华人民共和国企业所
得税法》等相关规定，我国关于开发新技术、新产品、新工艺发生的研究开发费用
加计扣除优惠政策长期执行。根据《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展
企业所得税政策的通知》（财税[2012]27号）和《关于软件和集成电路产业企业所
得税优惠政策有关问题的通知》（财税[2016]49号）规定，公司符合“国家规划布
局内集成电路设计企业”标准，可减按10%的税率征收企业所得税。报告期内公司
享受的所得税税收优惠金额占同期利润总额的比例为20.90%，若未来国家税收优惠
政策发生不利变化，或公司不符合国家规划布局内重点集成电路设计企业税收优惠
条件，将面临无法享受有关税收优惠政策的风险，将对公司的经营成果产生不利影
响。
(六)行业风险
公司是集成电路设计企业，主要从事功率器件和功率IC的设计、研发及销售，属于
集成电路行业的上游环节。集成电路行业在近年来一直保持稳步增长的趋势，但由
于该行业是资本及技术密集型行业，随着技术的迭代，行业本身呈现周期性波动的
特点，并且行业周期的波动与经济周期关系紧密。如果宏观经济发生剧烈波动或存
在下行趋势，将导致行业发生波动或需求减少，使包括公司在内的集成电路企业面
临一定的行业波动风险，对公司的经营情况造成一定的不利影响。
(七)宏观环境风险
近年来国际贸易摩擦不断升级，逆全球化贸易主义进一步蔓延，部分国家采取贸易
保护措施，对我国部分产业发展产生不利影响。鉴于集成电路产业是典型的全球化
分工合作行业，如果国际贸易摩擦进一步升级，国际贸易环境发生不利变化，则可
能对产业链上下游公司的生产经营产生不利影响。
2025年，公司收入以内销为主，外销收入占比为6.89%，且产品主要出口地区包括
中国香港、中国台湾及韩国等。上述地区对我国的贸易政策相对稳定，公司暂未受
到国际贸易摩擦及贸易保护主义的直接影响。但因公司内销客户主要为国内各大消
费类电子厂商，使用公司产品的终端客户对外销售受到贸易摩擦影响，不排除将间
接导致公司芯片销售受到影响的可能。
(八)存托凭证相关风险
(九)其他重大风险
五、报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入39,360.75万元，较上年同期增长11.52%；实现利润
总额11,448.24万元，较上年同期减少4.98%；归属于上市公司股东的净利润10,615
.29万元，较上年同期减少4.91%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的
净利润6,888.64万元，较上年同期增长17.54%。
六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
(一)行业格局和趋势
(二)公司发展战略
公司始终致力于功率半导体的研发与销售，以“专注于技术创新和价值创造，为客
户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”为使命
，坚持以市场为导向，以满足客户需求为核心，高度重视自主研发和技术创新，对
标行业先进技术和产品进行研发的同时，致力于逐步开发出具有完全自主知识产权
的创新产品。
公司将锚定“四大市场方向”，依托“三大产品线”，持续完善研发技术平台，推
动功率器件和功率IC的技术迭代和产品升级；加强供应链合作，积极开拓市场，拓
展产品应用领域，提升公司品牌形象；挖掘投资合作的契机，有效整合上下游资源
，优化产业布局；不断引进研发人员，打造高效的人才管理框架；提升内控管理体
系，推动公司高质量发展，打出向“芯”提质的组合拳。
(三)经营计划
公司将紧紧围绕整体发展战略，沿着“技术基础扎实宽厚，研发平台多点开花，产
业合作广泛深入。”的方向而努力，把握大势，求真求实，为最终成长为功率半导
体生态圈龙头企业而奋斗。具体经营计划如下：
1、强化研发与创新，提升核心竞争力
产品研发与技术创新是公司稳步增长的重要推动力，公司将持续强化产品研发与技
术创新，紧跟行业发展趋势，布局新兴应用领域，加速新产品落地，推动产品更新
迭代，提高产品质量与良率，进一步提升公司核心竞争力。
2、深化品牌建设，加快市场拓展
公司始终将客户需求置于首位，公司将积极参加行业展会、论坛，及时掌握行业动
态及客户需求，促进与合作伙伴的交流合作，进一步加强品牌宣传力度，提升公司
知名度。提高产品质量，提升服务水平，为客户提供更丰富的产品和更优质的服务
，赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长，维护公司品牌形象。
公司将充分利用技术优势和产品供应优势，根据市场需求不断推陈出新，丰富产品
类别，拓展应用领域，紧跟新能源、汽车电子、5G通信、人工智能等新兴市场发展
态势，在夯实现有应用领域的同时，加大新能源、汽车电子等领域的开拓力度，争
取实现突破，推进公司的可持续发展。
3、优化产业布局，积极挖掘投资并购机会
公司将加快推进收购上海瞬雷科技有限公司、上海吉瞬科技有限公司事项，为公司
的整体发展提供新的动力。伴随着下游消费电子、物联网、工业控制、新能源、汽
车电子等应用领域的大力推广带来的市场机遇，公司将持续关注与公司技术、产品
、业务等协同性好的优质上下游资源，充分调研并科学、审慎地进行投资项目的可
行性分析，积极挖掘投资并购机会，有效整合上下游资源，进一步优化公司产业布
局。
4、转化优秀人才资源，打造高效人才供应链
“功以才成，业由才广”，优秀人才的引入与培养是公司可持续发展的源头活水与
保障，公司将围绕“产业链”构建“人才链”，以“技术+市潮为导向在全球范围
“引才聚才”；同时将“以终为始”持续打造高效的人才管理框架，建立具有市场
竞争力的薪酬体系、人才发展及考核激励机制，通过绩效驱动，将人才的战略规划
融入企业战略发展之中，不断推动企业战略升级与业务发展。
5、细化管理举措，推动公司高质量发展
公司将进一步完善内控管理体系，加强研发、采购、质量、运营等各环节的计划与
实施，优化信息管理系统，提升管理效能。加强内部各层级的培训，提高管理能力
，加强责任意识，明确经营目标，制定实施计划，夯实管理层责任，自上而下地促
进公司治理水平的提升，推动公司高质量发展。
以上经营计划不构成业绩承诺，敬请广大投资者审慎判断，关注公司经营风险提示
内容，注意投资风险。
【4.参股控股企业经营状况】
【截止日期】2025-12-31
┌─────────────┬───────┬──────┬──────┐
｜企业名称 ｜注册资本(万元)｜净利润(万元)｜总资产(万元)｜
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｜上海玥晨芯半导体科技有限公｜ -｜ -｜ -｜
｜司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜北京光电融合产业投资基金( ｜ -｜ -｜ -｜
｜有限合伙) ｜ ｜ ｜ ｜
｜芯导科技(无锡)有限公司 ｜ 5000.00｜ -115.81｜ 147.37｜
└─────────────┴───────┴──────┴──────┘
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