（来源：SEMI）
3月26日，SEMICON China 2026同期论坛“IC制造产业链国际论坛-晶圆制程与设备”在沪成功举办。本次论坛汇聚了北方华创、应用材料、东京电子、盛美半导体、华海清科等全球半导体领军企业专家，聚焦“设备、数据、工艺”的深度协同，共同探讨在AI算力爆发背景下，半导体制造向高质量、智能化升级的确定性路径。
SEMI中国总裁冯莉对与会嘉宾的到来表示热烈欢迎。她指出，中国在全球半导体版图中的地位持续攀升，预计到2030年将贡献全球三分之一的产能。特别是在22至40纳米主流节点，中国份额有望在2028年达到42%。
自1970年成立以来，SEMI始终致力于推动全球半导体产业的沟通与协作。SEMI于1985年正式进入中国，并于1988年举办了首届SEMICON China。到2028年，我们将迎来SEMI进入中国40周年的重要里程碑。这一路走来，SEMI荣幸地见证了中国半导体产业的发展与崛起。她指出，在摩尔定律接近极限与AI算力需求爆发的关键交汇点，AI正成为继PC、智能手机之后更为广阔的“杀手级应用”，引领行业进入全新时代，呼吁业界携手共进，共创半导体万亿美元新纪元。
本次论坛由中芯国际深圳厂前厂长、浙大科创中心前运营副总经理、现任北京大学集成电路学院的秦宏志博士担纲主持。
北京北方华创微电子装备有限公司清洗事业单元副总经理谢志勇发表了题为“国产高端湿法装备突围：先进制程湿法工艺核心挑战与全链条解决方案”的主题演讲，深入剖析国产设备如何在先进制程赛道实现突破。谢志勇指出，集成电路发展呈现四大趋势：先进光刻从DUV向EUV演进、器件结构从2D向3D集成转变、互联方式从正面向正反面金属互联拓展，以及2D材料的未来应用。在存储领域，DRAM正向高深宽比电容结构及3D集成方向发展，NAND则持续进行垂直堆叠并向多比特演进。面对这些趋势，湿法工艺面临着“多样适配”、“高精进”和“深宽匀”三大挑战。他强调，湿法装备需实现稳定性、苛刻条件适应性和多场景兼容性的统一，同时节能减排已成为行业不可回避的课题。
应用材料公司高级总监肖思群带来“3D器件的量测与检测”专题分享，聚焦三维器件时代下检测技术的演进方向与创新实践。肖思群指出，随着半导体技术向三维架构演进，器件结构日趋复杂，从FinFET到GAA，再到3D NAND存储器，制程控制面临前所未有的挑战。检测技术需要同时解决两大难题：穿透多层结构获取深层信息，以及从精细的三维表面提取有效数据。肖思群强调，在工艺流程中，研发阶段需完成制程窗口验证和光学邻近效应校正（OPC）检查，量产阶段则依赖在线检测与关键尺寸量测实现良率管控。目前主流检测手段分为光学和电子束两大技术路线：光学检测通过激光聚焦与偏振调控实现高通量扫描；电子束检测则凭借更短波长，可获取纳米级分辨率及材料成分信息。
华海清科股份有限公司副总裁程全森以“离子注入装备：迭代突破自我，创新引领未来”为题作精彩报告，阐述了离子注入设备的技术迭代路径与前沿布局。程全森指出，全球离子注入设备市场前景广阔，预计到2030年市场规模将达33亿美元，年均增长率约6%。在AI计算、机器人等新兴领域的推动下，离子注入技术的应用场景持续拓展，从传统掺杂工艺延伸至材料改性、等离子刻蚀等前沿方向。技术创新方面，程全森重点介绍了团队在低能大束流设备上的多项突破并表示，软件是设备的灵魂，团队在多任务调度、均匀性算法等方面持续优化。
东京电子产品和服务DX方案事业部副总裁莜田正树围绕“DX理念：以AI和机器人技术赋能智能制造”展开演讲，分享了数字化转型驱动下的智能制造新范式。筱田正树指出，半导体市场正经历两轮增长浪潮。第一轮由物联网、云计算、边缘计算及工业4.0推动；当前的第二轮则以自动驾驶和人工智能为核心驱动力。据最新行业数据，全球半导体市场销售额预计将于2026年突破万亿美元大关，而数据中心、6G/7G通信及工业领域的持续需求将进一步推动增长。与此同时，全球半导体工厂建设进入高峰期。目前已有107座晶圆厂在建，预计于2028年前完工，另有91座工厂正在规划建设中。面对这一趋势，提升设备综合效率成为行业紧迫课题。
盛美半导体设备（上海）股份有限公司工艺副总裁金一诺就“三维芯片集成领域电镀技术的挑战和机遇”进行了深度解读，探讨先进封装时代电化学镀膜技术的关键突破点。金一诺指出，随着AI芯片向大尺寸、高密度堆叠发展，三维堆叠金属化布线成为关键，电镀技术贯穿从传统封装到2.5D/3D TSV、micro bump等先进互联结构。演讲指出，芯片尺寸增大导致晶圆边缘利用率下降，行业正转向方形面板（panel）以提升效率，但也带来翘曲、高深宽比填充、金属污染控制等新难题。
青岛思锐智能科技股份有限公司首席技术官张丛发表“迈向新程：技术创新，产品协同与矩阵发展”主旨演讲，描绘了企业技术创新与产品生态协同发展的战略蓝图，深入解析了原子层沉积（ALD）与离子注入两大集成电路核心工艺的技术前沿与发展趋势。张丛指出，随着半导体器件特征尺寸不断缩小、新材料广泛应用以及器件结构从平面向三维演进，薄膜沉积工艺面临更高要求。原子层沉积凭借其厚度与组分控制精度高、均匀性好、适应三维结构等技术优势，在集成电路制造中的应用日益广泛。当前，区域选择性沉积、多元复合材料及二维材料的研发应用成为重要方向。在离子注入领域，张丛表示该工艺正朝着能量范围拓展、参数控制精度提升、污染控制水平提高、生产效率优化及应用多样化等方向发展。值得关注的是，大剂量氢离子注入实现材料剥离的技术已从传统硅基材料拓展至碳化硅等化合物半导体领域，有望大幅降低材料成本。此外，人工智能技术正与离子注入设备深度融合，在工艺优化、故障预测、实时监控等环节展现应用价值。
江苏鲁汶仪器股份有限公司资深副总经理胡冬冬博士带来“半导体方向性工艺的‘矛’与‘盾’——离子束微纳加工技术综述”的精彩分享，系统梳理了离子束技术在半导体制造中的多元应用。胡冬冬指出，在半导体制造向更小节点推进的进程中，光刻技术面临分辨率、线宽粗糙度、套刻精度等多重挑战。尽管EUV光刻机性能优越，但在当前国内产业受限的背景下，业界正积极探索替代方案。离子束微纳加工技术作为一项“古老而新兴”的工艺，正重新回到先进制程的舞台中央。胡冬冬阐述，离子束技术的核心优势在于其高度的方向性控制和精确的能量调节能力，可实现亚纳米级的加工精度。目前，该技术已形成四大主流应用，包括离子束塑形（IBS）、离子束铣削、离子束修平和离子束沉积。
泛林集团设备智能专家及项目经理孙丽妃以“智能制造引领未来晶圆厂”为题压轴登场，展望了智能化技术重塑晶圆厂运营的未来图景。孙丽妃指出，泛林集团致力于将传统机台打造成具备“自我思考、协同生产”能力的智能系统，核心涵盖四大能力：自我感知、自我维护、自我适应和自我调优。在自我感知方面，通过在机台核心部件布局高精度传感器和摄像头，实现对晶圆移动、机械臂传送及腔室状态的实时监测。自我维护层面，Q365技术可在真空环境下自主更换零部件，大幅延长机台运行周期；协作机器人（Cobot）则能完成零件安装、清洁等精细操作，精度达人工操作的两倍以上。自我适应方面，APS自适应系统可在不开腔的情况下自动校准晶圆位置；Recipe自动调控模块能在一小时内完成传统工程师需数小时乃至数天的参数优化工作。自我调优则依托数字孪生技术，通过虚拟仿真实现全流程工艺优化。孙丽妃强调，人机协同将是智能制造的核心形态——让机器负责计算与控制，让工程师专注于创新与决策。
本次论坛的圆满举办，凝聚了全球业界对于“人机协同、智能制造”的高度共识。面对即将到来的万亿美金市场，SEMI将继续发挥全球化平台优势，链接产业链上下游资源，以工艺与设备的协同进化，支撑半导体产业行稳致远，共创智能化的未来工业图景。
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