转自：中国证券报·中证网

中证报中证网讯（记者 宋维东）日前，拓荆科技在PECVD、ALD、Gap-fill和3D IC四大领域发布多款新品。拓荆科技副总经理、产品事业部总经理宁建平表示，拓荆科技专注于集成电路量产型PECVD、ALD、Gap-fill及3D IC相关研发，产品已进入全国30个城市的100条芯片生产线。公司秉承“生产一代、在研一代、预研一代”的产品策略，坚持高研发投入及产品升级，今年将重点专注先进制程设备及工艺研发，满足客户特殊应用需求，提供适配的技术解决方案。

拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务业务。公司不断拓展新工艺、新产品及新型平台、新型反应腔的验证与产业化，持续保持产品核心竞争力。其研制的薄膜沉积设备产品、先进键合设备产品和配套的量检测设备产品已在客户端实现产业化应用，业务规模不断扩大。

以PECVD系列为例，经过10余年深耕，拓荆科技的PECVD设备装机量及工艺覆盖率均居国内前列，实现PECVD工艺全覆盖。公司今年带来的相关新品，应用领域包括先进逻辑后道层低介电薄膜，并兼容逻辑≤28nm后道层间低介电薄膜，实现介质薄膜“低”介电常数和“高”机械强度。

近年来，拓荆科技面向国内集成电路芯片制造技术迭代创新和快速发展需求，充分发挥在产品方面的高性能、覆盖面广、量产规模大等竞争优势及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，进一步扩大公司产品在先进制程领域的工艺覆盖面，取得了一系列重大创新成果。

此前发布的业绩快报显示，公司2025年实现营收65.19亿元，同比增长58.87%；实现归母净利润9.29亿元，同比增长35.05%。拓荆科技表示，随着人工智能、高性能计算、汽车电子、机器人及可穿戴设备等新兴领域技术快速发展和需求激增，芯片制造厂加速推进先进制程技术迭代，不断扩大产能规模。公司积极把握技术迭代升级及市场发展机遇，构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成领域设备的产品矩阵，依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备及先进键合设备领域的技术突破与规模化量产，在先进制程领域核心竞争力显著提升，业务规模实现较大幅增长。