来源：上海证券报·中国证券网

上证报中国证券网讯（记者 韩远飞）3月25日，拓荆科技在SEMICON China2026展会上举办“拓芯章·见未来”新品发布会，共发布ALD、PECVD、Gap-fill及3D IC四大系列新品，以技术创新持续推动国产半导体装备迭代升级。

发布会上，拓荆科技相关负责人表示，公司产品已进入全国30个城市的100条芯片生产线。公司秉承“生产一代、在研一代、预研一代”的产品策略，持续高研发投入及产品升级。2026年，拓荆科技将专注先进制程设备及工艺研发，满足客户特殊应用的需求，为客户提供适配的技术解决方案。

ALD系列新品方面，拓荆科技本次发布了两款原子层沉积新品，可满足高产能需求。PECVD方面，拓荆科技的新品可用于先进逻辑后道层低介电薄膜，并兼容逻辑≤28nm后道层间低介电薄膜，实现介质薄膜的“低”介电常数和“高”机械强度。Gap-fill方面，拓荆科技发布了一款在先进存储与先进逻辑制程中应用于图形传递修饰、刻蚀阻挡层及图形平坦化处理的设备。

3D IC系列新品方面，拓荆科技发布了涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品，重点聚焦先进逻辑芯片Chiplet异构集成、三维堆叠及HBM相关应用。其中，Pleione 300 HS芯片对晶圆熔融键合设备兼容多种芯片尺寸和厚度，能实现自动更换拾取与键合模组，产能高于现有产品的50%。Lyra 300 eX新一代晶圆激光剥离设备，应用先进逻辑（BSPDN）和先进存储（VCT）背面工艺，是无金属污染、低应力、无热影响设备与工艺的完整解决方案。

此次发布会，拓荆科技还发布了一款全球首创的Volans 300键合空洞修复设备，解决键合界面空洞修复难题，提高3D IC产品良率和产线稳定，体现了公司的技术引领能力。