最新消息

首页 > 最新消息 > 返回前页

三安光电:已布局氧化镓、金刚石等第四代半导体材料的研发

时间:2026年01月29日 17:18

(来源:第三代半导体产业)

近日,三安光电在投资者互动平台回应提问,详细披露了公司在化合物半导体领域的最新布局与落地进展。公司表示,正持续推进化合物半导体前瞻性技术布局,旗下湖南三安已启动氧化镓、金刚石等第四代半导体材料研发,标志着其在第三代半导体(碳化硅、氮化镓)基础上,进一步向更宽禁带、更耐高压的前沿材料领域延伸。

据悉,第四代半导体材料以氧化镓、金刚石为核心,具备更高击穿电压、更低导通损耗及更优热稳定性,适配极端环境下的功率器件与射频应用。作为三安光电第三代半导体核心基地,湖南三安已拥有成熟的碳化硅、氮化镓产线,此次拓展第四代材料研发,将进一步巩固公司在宽禁带半导体领域的领先地位。公司强调,将紧盯前沿科技方向,为AI/AR眼镜、数据中心、AI服务器电源等领域提供多元化产品支撑。

在AI/AR眼镜领域,三安光电的Micro LED产品正与国内外终端厂商协同优化方案,已从技术验证迈入小批量验证阶段,其高亮度、低功耗、小尺寸的优势逐步落地于智能穿戴设备。同时,湖南三安的碳化硅光学衬底产品,已与该领域国内外终端及光学元件厂商深度合作,并实现小批量交付,可为AR眼镜轻薄化、高清晰度升级提供关键支撑。

数据中心及AI服务器电源领域,公司碳化硅产品已实现规模化应用,已向长城、维谛技术、伟创力等头部客户量产供应,覆盖数据中心核心基础设施。针对AI服务器高功率密度需求,公司推出的100V及650V耐压等级GaN产品,已为国内头部设计公司提供代工服务,可大幅提升电源效率、降低能耗,适配AI算力负载增长需求。

此外,数据通信领域,三安光电光芯片业务持续迭代,400G光芯片实现批量出货,800G光芯片进入小批量出货阶段,1.6T光芯片正推进研发,将充分受益于AI大模型驱动的数据流量爆发及数据中心互联升级。

总体而言,三安光电正构建从第三代到第四代半导体的完整技术链条,在AI相关场景形成多维度布局,涵盖显示、光学衬底、功率管理及高速互联,产品逐步从研发验证转向量产,获得国内外头部企业认可。作为国内化合物半导体龙头,其持续投入有望抢占AI算力基础设施及智能终端市场份额,未来增长潜力值得关注。

查看更多董秘问答>>

[返回前页] [关闭本页]