（来源：纪要头等座）

1、功率半导体涨价行情解析

·涨价核心动因拆解：当前功率半导体领域显现涨价迹象，背后有四大核心驱动因素：其一为封装成本显著上升，封装成本占器件总成本50%以上，铜、铝等金属及树脂等原材料涨价明显，是推动涨价的首要因素；其二是代工厂产能紧张，台积电、三星官宣减少8寸晶圆产能，中芯国际、华虹等国内代工厂更多资源偏向内存领域，其他代工业务供需偏紧，价格随市场化竞争水涨船高；其三为AI服务器需求增量，AI服务器对MOS管需求火爆，英飞凌、意法等头部国际供应商接单能力饱和，交期普遍变长，部分产能分流至国内客户，带动需求与价格上升；其四是安世替代需求，相关替代趋势难以逆转，国内厂商可获取替代红利，供需偏紧为涨价提供了动力。从影响权重看，封装成本上升是最核心驱动，除AI服务器外，工控、汽车、家电等其他领域需求仅保持平稳，理论上难以支撑当前涨幅。涨价对厂商毛利的改善作用有限，成本传导存在较大挑战，即使涨价，厂商可能仅能转嫁部分成本，需谨慎乐观看待涨价对财务指标的实际作用。

·成本结构与传导分析：功率器件的成本结构中，封装成本占据关键位置：以T27封装为例，单套封装成本约1元人民币，其中金属占比60%-70%，树脂等其他材料占比30%左右，封装成本较一年前提升25%以上。不同类型器件受成本上涨的影响差异明显：IGBT等大功率器件因晶圆尺寸较大，晶圆成本占比相对更高，封装成本占比偏小，受涨价的影响更小；二三极管、小功率MOS等中小功率器件，封装成本占总成本的70%-80%，受原材料涨价的冲击更为显著。国内外厂商受影响程度也有区别：国内厂商多聚焦中小功率器件领域，受封装成本上涨的影响更大；国外厂商在大功率器件领域更具竞争力，受影响相对较小。成本传导方面，厂商试图将上涨成本转嫁给下游面临较大挑战，毛利改善空间受限。

·涨价节奏与产品分化：当前功率半导体的涨价更多处于市场试探阶段，呈现“雷声大雨点小”的特征，多数厂商发布涨价函主要是测试市场反应，实际落地效果有限。针对大客户，厂商暂未实质涨价，多以暂停年降的方式应对成本压力；部分中小厂商因利润率过低试图涨价，但整体涨价幅度和落地情况不佳，真正的涨价或于2026年Q1生效。不同产品的涨价表现分化明显：二三极管涨价动力最强，其国产化率较高，国外厂商参与度低，国内厂商在成本压力倒逼下涨价意愿强烈，且封装成本占比高，涨价潜力最大；MOS管次之，受AI服务器需求带动，头部国际厂商交期变长，部分型号甚至停止接单，叠加封装成本上涨，涨价预期较高；IGBT涨价动力最弱，国际巨头产能相对充足，需求仅依赖工控、汽车等平稳领域，缺乏额外增量支撑，涨价难度大。

·库存与产能现状分析：当前功率半导体行业库存已基本出清，国内外厂商库存均回到2-3个月的合理低位，接近历史最低水平，国内上市公司的库存水位保持健康状态。从产能供给来看，整体产能仍处于供过于求的状态，国内新增的12寸晶圆线稼动率不足，除AI相关领域带动部分产能外，工控、汽车、消费类等其他领域需求平稳，难以消化现有产能。原厂并未退出产能，仅通过调低稼动率匹配需求，导致整体产能利用率偏低。行业供需格局方面，库存出清叠加成本上涨虽给厂商带来涨价动力，但除AI领域外，其他需求未出现明显放量，尚未形成全面的供需紧平衡态势。整体判断为谨慎乐观，行业最坏阶段已过去，但需求端缺乏强劲支撑，成本传导难度较大，涨价对厂商财务指标的改善作用仍有待观察。

2、AI服务器功率器件需求分析

·AI服务器功率器件增量规模：AI服务器对功率器件的需求增量显著，与传统服务器差异明显。传统服务器功率约800瓦，功率器件用量小；AI服务器功率更高，当前5.5千瓦已成为标配，后续还将推出12千瓦产品，功率器件用量随功率提升大幅增加。全球受益厂商格局上，台湾厂商是核心受益者，台达、明纬、光宝等占据主要份额；国内麦格米特、欧陆通等上市厂商为二级受益梯队。同时，英飞凌等国际厂商向重点客户倾斜产能导致缺货，为国产厂商带来替代机会。需求增量规模方面，2025年AI服务器电源模块带动的功率器件增量规模为15-20亿美金，2026年预计达35亿美金。单台价值上，3.3千瓦AI服务器功率器件价值约20美金，5.5千瓦约30美金，12千瓦约50美金；传统800瓦服务器仅约6-7美金，AI服务器价值量约为传统的3倍。

·碳化硅与氮化镓需求趋势：AI服务器中碳化硅与氮化镓适配不同电压环节，需求场景与规模存在差异：碳化硅主要用于HVDC等高压环节，氮化镓多用于48伏转12伏的低压环节，尤其是NVIDIA服务器架构因工作频率达兆赫兹级别，会大量使用氮化镓。需求规模时间维度上，2024年AI服务器电源带动的碳化硅需求为5亿美金，2025年预计达6-7亿美金，2027年有望超10亿美金；氮化镓2024年需求为几千万美金，2025年预计接近1亿美金，2027年有望超2亿美金。固态继电器（SST）对碳化硅需求带动显著，目前台达刚开始上量供应，后续应用场景有望拓展至超充电站、小区等，但近期仍以AI数据中心为主要增长场景。产品选型上，当前1200伏碳化硅器件是最具性价比且成熟度最高的方案，3000伏方案因技术成熟度不足仍需发展。

·DR MOS替代趋势分析：氮化镓替代传统DR MOS是长期趋势，但当前存在技术局限性，替代节奏偏缓：a.技术与成本优势：氮化镓工艺成熟度提升，起步为8英寸工艺，目前正转向12英寸，采用硅衬底成本较低，大电流场景下成本已接近传统DR MOS，且工作效率更高；b.头部厂商导入：NVIDIA重点在800伏转低压环节导入氮化镓，其GPU板卡虽使用上千颗DR MOS，但不会全部切换为氮化镓，低压场景下硅工艺仍具成熟度优势，氮化镓在100伏左右电压场景更能发挥性能；c.技术局限性：当前氮化镓失效机理尚未完全明确，这是制约其大规模应用的核心问题，而碳化硅的技术问题及潜在风险已基本明确且可控。不过，NVIDIA等厂商已开始资源倾斜布局，随着失效机理明确与解决，氮化镓应用规模有望逐步扩大，但短期难以爆发式替代。

3、车规功率器件市场格局分析

·安世事件长期影响分析：安世相关的供需格局已不可逆，将分化为两个独立体系。国外厂商可通过自建后道封装厂应对，国内厂商则主要通过寻找前道厂采购晶圆或自主建厂布局。大客户当前采取直接绑定的供货模式，例如向安世欧洲采购晶圆后送至安世中国封装，或是直接约定供货量以确保自身需求，但这类模式可持续性较低。最终国内外市场将呈现分化格局，国外市场受益厂商包括英飞凌、意法、威世等，国内市场则以小信号器件厂商为主要受益方。这类小信号器件类似电阻电容，具备用量大、单价低但毛利率高的特点，此前国产替代难度较大，客户更看重供应链稳定性，不愿轻易更换供应商；而当前替代窗口已打开，只要厂商抓住机会就能切入市场，其中杨杰科技已在财务层面体现出显著受益。

·车规碳化硅渗透与价格竞争：车规碳化硅在新能源汽车中的渗透率将持续提升，2025年其在新能源汽车中的渗透率约18%，长期来看有望进一步渗透至更高水平。渗透率提升的核心逻辑一是行业竞争内卷，碳化硅已成为车企的“标配”选项，缺乏碳化硅配置的车型将丧失竞争力；二是碳化硅成本已接近IGBT，且仍有较大降本空间，包括产能持续扩张、6寸线向8寸线的工艺迭代、良率不断提升等，2025年行业将进入洗牌阶段。价格方面，国内1200V、25平方毫米、约12毫欧的5×5规格碳化硅单管，大客户报价低至1.8美金；6×6规格单管报价约2美金，36个该规格单管加封装成本约110-120美金，已与IGBT价格基本持平。英飞凌的HPD mini碳化硅模块报价约七八百块钱，当前IGBT模块国内价格约600元，国外品牌价格约700多一点，碳化硅的普及对IGBT形成直接竞争压力，不仅碳化硅内部厂商间价格竞争激烈，IGBT也面临较大降价压力。当前车规碳化硅市场处于混战洗牌阶段，厂商都在等待行业出清，只有扛过竞争的厂商才能获得后续发展机会。

·车规器件竞争格局梳理：车规功率器件市场最终将仅少数厂商能站稳脚跟，国内市场中新年集成已确立自身地位，另有两家厂商具备突围机会，其余厂商大概率将被淘汰。从商业模式来看，IDM厂商更具竞争优势，仅专注于碳化硅业务的厂商压力巨大，部分国资背景厂商已开始缩减碳化硅产能，当前多数国内碳化硅厂商处于亏损状态。Fabless厂商因缺乏试错机会，陷入恶性循环，生存环境恶劣，容易被行业出清。价格层面，当前市场为买方市场，客户的压价意愿强烈，即使1.8美金的碳化硅单管报价已被接受，客户仍会要求更低价格。车企会通过扶持多家供应商的方式制衡头部厂商，避免单一供应商垄断市场。国外厂商也被迫跟随降价，如英飞凌当前碳化硅单管报价约3美金，也面临较大降价压力。当前行业仍处于格局未定的混战阶段，出清过程尚需时间，后续价格竞争可能进一步加剧，厂商需扛过当前竞争才能获得长期发展机会。

4、消费电子功率器件需求展望

·消费电子需求疲软分析：当前消费电子市场面临的最大不利因素为内存大幅涨价缺货，该因素已引发客户诸多负面反馈，对行业需求造成显著压力。具体来看：a. 部分客户明确表示将全部资金优先用于抢购内存，以先确保拿到货为首要目标；b. 另有客户因内存价格上涨20-30元，认为自身无法赚取对应溢价，对盈利缺乏信心；c. 还有客户反馈已完全买不到内存，因中低端内存产品短期内国外大厂已停止生产，国内相关厂商若要投产仍需一定时间，导致当前市场无对应产品供应。此外，内存缺货对消费类产品的影响目前尚未明显发酵，但预计一个月内会出现较大程度的发酵，届时将对手机、电脑等各类消费电子产品造成重大冲击。当前客户整体对消费电子市场持谨慎悲观态度，内存缺货被视为现阶段最大的利空因素，且短期内未观察到其他可支撑行业需求反转的利好消息，行业需求疲软态势或将持续。

5、储能领域功率器件需求分析

·储能功率器件需求与格局：储能赛道自2024年起热度较高，大量资本涌入布局，长期发展前景向好，但短期需求受政策驱动明显，其中海外政策影响尤为显著。以澳洲为例，工党执政下的补贴政策最高可达70%-80%，储能市场正常年增速约20%，若有强力政策刺激则可能出现爆发式增长，整体来看储能领域对碳化硅需求形成利好。

在功率器件需求方面，储能领域充放电过程中IGBT与碳化硅应用广泛，其中碳化硅属于增量品类，且将逐步替代IGBT。高端储能电源（如AI电源）对碳化硅需求迫切，这类电源多为24小时运行，即使效率仅提升微小幅度，长期积累也能带来可观价值，而碳化硅在高端电源领域的需求缺口较大，市场表现良好。目前海外高端储能电源市场仍以欧美厂商为主，如英飞凌的新一代IGBT因效率优势深受台达等客户认可，国内厂商暂难切入这一市场。

国产化渗透率方面，当前储能领域碳化硅国产化渗透率约20%，海外品牌与国内产品价格差距仅20%左右（如海外产品约1.2元，国内产品约1元），部分客户出于可靠性考量仍倾向海外品牌，但也有客户因持股等因素选择国产产品。预计国产化渗透率将逐年提升，2027年左右有望达到40%左右。

此外，碳化硅的主要应用场景中，汽车领域占比最高，其次是AI电源，新能源领域位列第三。新能源领域目前多采用IGBT与碳化硅混合方案，部分部位用IGBT、部分用碳化硅MOS管或二极管，以此平衡成本与性价比，该领域碳化硅仍处于逐步渗透的过程中。

Q&A

Q: 涨价的原因是什么？是普涨、各应用领域均涨还是仅个别料号或领域的情况？涨幅及背后的驱动力如何？

A: 涨价主要由四方面因素驱动：首先是封装成本显著上升，金属、树脂等材料涨价，封装成本占比达50%以上，是最大驱动力；其次是晶圆代工产能紧张，台积电、三星官宣减少8寸产能供应，中芯国际、华虹等产能向内存倾斜，代工价格随市场化竞争上升；第三是AI服务器需求火爆带动mos管需求增加，英飞凌、意法、安森美、威世等头部供应商交期变长；此外，安斯替换带来的供需紧张也推动涨价。整体来看，涨价主要由成本上升及部分领域需求驱动，但除AI服务器外，工控、汽车、家电、消费类市场需求平稳，涨价对毛利率的改善有限，需谨慎乐观。

Q: 金属成本在整个封装或整个器件中的占比是多少？

A: 不同器件的金属成本占比难以统一，以T27封装为例，其封装成本为1元人民币，其中金属成本约0.6-0.7元，树脂约0.3元，金属占封装成本的比例较大；平均来看，封装成本约占整个器件成本的50%，另一半为晶圆成本。

Q: 当下封装成本与一年前金属涨价前相比，成本提升幅度是多少？

A: 目前部分封装厂存在价格保护机制，但封装成本提升幅度至少20%-30%，或25%以上，波动幅度较大。

Q: 封装环节的提升幅度是否在25%以上？

A: 封装环节提升25%以上的情况基本符合，但需根据封装大小有所调整。

Q: IGBT等大功率器件受影响程度是否比二三极管、MOS等器件更大？

A: IGBT等大功率器件受影响程度更小，因这类器件晶圆尺寸较大，而封装成本占器件总成本的七八成，晶圆尺寸越大，封装成本占比越小；国内厂商多生产二三极管、小功率MOS等中小功率器件，这类器件封装成本占比更高，因此国内客户受影响更大，国外厂商在大电流领域更有竞争力，受影响较小。

Q: 涨价是整体普涨，还是部分领域产品或应用涨得更明显及更有持续性？

A: 涨价分两方面，首先从成本端看不分应用，属于普涨；其次叠加不同应用场景，MOS管因用于AI服务器电源等需求叠加，涨价动力及预期高于IGBT，IGBT主要用于工控、汽车、家电，无AI服务器应用场景，仅受封装费用涨价，而MOS管受需求叠加影响，涨得更多。

Q: 成本上涨对公司的影响从哪个季度开始，以及公司涨价是从去年四季度还是今年一季度开始？

A: 目前涨价整体雷声大雨点小，更多是市场试探。大客户方面，供应商未涨价但也不再降价，试图转移成本压力。国外功率巨头主要拉长交期，特殊型号或封装可能延迟回复甚至不接单。成本上涨真正对公司生效可能在Q1，12月市场行为多为试探，部分因利润率低尝试涨价，但大客户面前未显著上涨。

Q: 涨价的产品品类中，相对偏中低端的涨幅更大，还是高端、相对刚需的品类更有涨价底气？

A: 高端品类涨价更多；替代安氏的产品有较强涨价动力；需求旺盛的市场也可实现涨价，整体分产品或应用情况而定。

Q: 从二三极管、MOS、大功率MOS、IGBT分别来看，哪一块涨价潜力更大或当下涨价明显？

A: 二三级管涨价潜力更大且当下涨价明显，主要因国产化率较高、无国外竞争，且小信号二三级管封装成本占比高，成本难以覆盖；MOS管国际巨头产能充足，交期稳定，仅部分贴片封装可能缺货，整体暂未明显涨价；IGBT涨价潜力最小。

Q:芯联集成等IGBT车规级代工企业计划涨价的消息是否靠谱？

A: 芯联集成等IGBT车规级代工企业涨价具有合理性，主要因行业已形成寡头垄断格局，且长期处于亏损状态，无法持续；目前技术平台已获认可、市场格局确立，企业有回归合理利润区间的需求；虽今年车市表现一般且行业存在竞争，但长期亏损下涨价具备博弈基础。

Q: 欧美品牌拉长交期是否是通过刻意控产能制造紧张情绪以稳住价格？

A: 交期并非刻意控制，而是系统根据现有产能排产计算的结果。实际交货期从之前的12周延长至16-20周，部分低压mos因需求大，存在拒绝接单或交期长达52周的情况，部分特殊封装型号已不接单。整体交期呈拉长趋势，国内虽无强烈证据但趋势上可能出现缺货小高潮，不会像以往严重但仍会造成缺货。

Q: 交期变长及潜在缺货的背后原因是什么？在供给端相对充分且产能未减少的情况下，是否因需求增长导致？

A: 主要原因是后端封装、测试等产能受限，尤其是AI电源所需的贴片等特殊封装产能无法快速建立，而前端产能因可共享相对不紧张，并非需求增长导致。

Q: 目前是否存在结构性缺货，且AI领域缺货较紧张，消费类、工业类相对宽松？

A: 结构性缺货主要源于特殊封装等后端产能受限，前端产能相对可共享。

Q: 公司外资业务是否未涨价，以及因客户以大客户为主、放弃中小客户导致未涨价的情况是否属实？

A: 公司外资业务未涨价，国外品牌未涨价的情况下国内通常不会涨价；小信号二三极管等国外不做的市场由国内竞争，可能有涨价趋势，但IGBT及高压产品等大规模普涨仍受国外品牌战略调整制约。

Q: 成本端上涨20%-30%时，是否难以完全传导至下游终端，下游终端涨价幅度是否约10%？

A: 成本传导本质是博弈过程，例如家电补贴减少，但部分终端如车企可自行补贴成本。若想将20%的成本涨幅完全传导至下游难度较大，即使完全传导毛利率也不会改善，整体来看成本传导仍面临较大挑战。

Q: 供给端当前产能是否仍处于过剩状态及是否出现相对充分的出清？当前库存情况与此前相比是否已至绝对底部或仍有进一步去库存空间？

A: 当前库存已基本出清，回到两到三个月的合理或最低状态，处于市场历史最低水平。库存水位目前不高，经过三年前缺货及约1.5年的痛苦消化期后，库存因素已成为涨价的正向支撑，目前整体库存处于健康水平。

Q: 国内厂商为主的中低端产品库存是否已出清？

A: 这类产品库存已基本出清，部分维持约两个月库存，规模较大的上市公司库存水位较为健康。

Q: 中国封装及晶圆产能目前呈现满产状态，若行业均满产，产能是否过剩及能否消化？

A: 从产能端看，国内半导体产能仍供过于求。国内新增多条12寸线等产能，但产能利用率不足；除AI领域外，整体半导体市场表现较差，且市场需求碎片化、区域化不平衡，GPU带来的内存需求增长对其他领域形成压制。

Q: AI服务器对功率器件的带动情况如何，包括IGBT的暂时影响，过去服务器整体需求量、AI服务器渗透率提升后的增量体现及相关量级、趋势如何？

A: 服务器电源需求最大受益者为台湾厂商，国内厂商为第二级受益；英飞凌转向重点客户导致缺货，国产器件替代增加。今年全球AI电源带动规模约15-20亿美金，明年增量约35亿美金，主要涉及高压MOS、碳化硅MOS、低压MOS、硅二极管、碳化硅二极管等，后年氮化镓将大规模上量，年成长率较快。

Q: 所述规模仅包含电源，还是包括主板上的MOS等全部相关部件？

A: 所述规模为电源模块的增量规模，不包含GPU所用的DR MOS，仅涉及电源板及电源模块部分，例如48伏转12伏、12伏转1.1伏等给机器供电的电源模块。

Q: 48伏转12伏低模式明年是否有35亿美金市场规模，此前预估需到2028年、2030年，对该市场规模提前至明年达到是否乐观？

A: 最近密集拜访客户，多数客户预测该业务规模可翻倍；SST固态继电器市场不可忽略，碳化硅对其带动作用大；当前碳化硅价格亲民，推动相关方案应用，认为该市场规模提前至明年达到35亿美金的预估合理。

Q: 碳化硅及氮化镓的需求情况能否量化，未来趋势如何？

A: 去年碳化硅需求约5亿美金，氮化镓约几千万美金；今年碳化硅需求至少翻倍至6-7亿美金，氮化镓不超过1亿美金但接近；2027年氮化镓可能超过2亿美金，碳化硅可能超过10亿美金。氮化镓主要用于48伏转12伏环节，碳化硅用于高功率及固态继电器等领域，带动需求大。

Q: SST中碳化硅的用量如何量化？是否与功率挂钩或单个模块使用几克？

A: SST中碳化硅用量与功率挂钩，采用多重并联的小模块方案。目前台达刚上量未完全放量，已有更多供应商进入该领域。后续ACT有望逐步普及，第一步应用于数据中心，第二步拓展至超充电站等场景，第三步可能覆盖小区门口等终端场景；近期AI数据中心的碳化硅需求将有较大增长。

Q: 该方案中是否使用3300伏的器件？

A: 当前方案通过并联多个1200伏器件可达到类似3600伏的效果，1200伏器件成熟度高、性价比优，是目前最佳方案；后续若采用3300伏器件仍需时间。

Q: 服务器内部MOS管的用量情况，以及AI服务器与通用服务器相比MOS管用量的增长情况如何？

A: 以3.3千瓦服务器为例，MOS管用量约12个，成本约20美金；5.5千瓦服务器约30美金；12千瓦服务器约50美金。通用服务器如800瓦机型，MOS管成本约6-7美金，功率为3.3千瓦机型的1/4，成本约为其1/3。当前5.5千瓦已成为标配，明年将推出12千瓦等更高功率机型，MOS管用量随服务器功率及计算容量增加而提升。

Q: 对氮化镓替代传统DR MOS的看法如何？

A: 氮化镓替代传统DR MOS的趋势不可阻挡。工艺上，碳化硅多为6转8，氮化镓起步即为8转，目前已向12转发展；衬底采用GaN on silicon，以硅片制备，工艺成熟且成本较低；同时氮化镓速度快、效率高，天然具备性能优势，大电流场景下成本已低于传统方案且性能更优。NVIDIA的需求主要集中在800伏转40-50伏场景，其拓扑位于高压段，需用氮化镓并联实现，需求亮点在高压前端部分。

Q: GPU周围DR MOS用量较大，一个板卡需上千颗，后续是否全部切换为氮化镓，还是仅部分切换？

A: 并非所有DR MOS都会切换为氮化镓。因GPU周围电压极低，硅工艺成熟且性能满足需求；氮化镓虽在约100伏低压下有性能发挥空间，但类似碳化硅在不同电压区间与硅基器件存在交叠。目前氮化镓技术未达碳化硅成熟度，失效机理未完全明确，虽有NVIDIA、英飞凌等大公司资源倾斜，但不会短期解决所有问题，故不会全部切换。

Q: 安氏事件对车领域的影响是否明显，转单方向是国产品牌还是欧美品牌替代？

A: 安氏事件对车领域影响明显，相关方关系难以恢复，或分裂为两个主体。国外玩家可通过自建后道封装厂维持供应链，国内则通过前道厂采购晶圆或发放PC。部分大客户采用买安思欧洲wafer+安氏中国封装的模式，但可持续性不足。转单受益呈现国内外分化：国内市场国产品牌受益，国外市场英飞凌、意法、威世等欧美品牌受益。国内做小信号等标准产品的公司迎来替代机会，部分企业已从财务端体现受益。

Q: 新节能在MOS领域的表现如何？

A: 安世强侧重小型号低压MOS、二极管及多封装业务；新节能以低压MOS为核心优势，也涉及部分高压MOS，但并非该领域最大受益者；杨杰主要定位为二极管公司。

Q: 碳化硅在25年新能源汽车的渗透率约18%，长期是否会逐步渗透至10万元以下车型并达到七八十的份额？

A: 碳化硅在新能源汽车的渗透率会持续提升。行业内卷背景下，碳化硅已成为车企参与竞争的必备配置；当前其成本已接近IGBT，部分客户要求价格更低，且随着产能扩张、6寸转8寸工艺迭代及良率提升，仍有降本空间。今年碳化硅器件行业进入洗牌期，多数国内厂商亏损，部分企业可能倒闭或被收购，但渗透率仍将持续提高。

Q: 碳化硅主驱模块的国内外当前价格情况如何？

A: 以25平方毫米、1200伏、12毫欧左右的标准规格为例，新集成产品今年下半年给大客户的报价约1.8美金。

Q: 1.8美金对应的产品规格及包含的组件情况是什么？

A: 指5×5规格的产品，里面包含32个36克的单管。

Q: 一克单管的报价是否已达1.6美金？

A: 6×6规格下，36个单管按2美金计算约70美金，若封装费控制在40-50美金，整体价格可接近IGBT。英飞凌的碳化硅产品中，小封装的HPD mini报价约七八百元，大封装的为HPD。目前碳化硅存在内部公司流转及向IGBT转换的情况，IGBT面临较大压力——碳化硅可降低系统成本，但当前产能过剩，厂商不再压价，量价及毛利或持续下行，国内已能供应不错的同类产品。

Q: 70+40的费用是否指模块产品的总成本，卖给车企时是否在此基础上加利润？

A: 模块利润空间取决于议价能力。国内IGBT模块价格约600元，近期或下降；国外品牌因技术、良率优势，价格约700元，与国内价差不足1.5倍。碳化硅封装更小但能发挥性能，输出功率与IGBT相近。市场竞争激烈，处于洗牌阶段，企业需抗压等待出清。

Q: 外资品牌IGBT模块当前价格如何，例如英飞凌、S品牌？

A: 外资品牌IGBT模块当前报价约300美金。

Q: 国内有机会的另外两家是否包括蓝v及具体是哪两家？

A: 国内还有两家有机会，但暂不提及具体名称。

Q: 市场最终能留存并站稳脚跟的玩家情况及剩余玩家是否会被淘汰？

A: 新年在市场中肯定有位置，国内其他玩家约两家即可，单位无法达到一块八。

Q: 车规级碳化硅价格是否已见底，后续是否会因客户接受1.8美金价格而继续降价并稳定在当前水平？

A: 客户对价格需求无止境，1.8美金可用后仍会要求更低价格；当前为买方市场，客户通过博弈推动价格下降；客户会选择提供MCU、驱动、算法等综合产品的供应商，或扶持斯兰威等厂商避免单一依赖，因此价格不会稳定。

Q: 消费电子需求当前情况及今年走势如何，是否存在增长点？

A: 消费电子需求无大幅反转迹象，最大不利因素为内存涨价及缺货。客户反馈资金优先用于采购内存，且内存价格上涨导致其无信心覆盖成本溢价；部分客户无法采购到中低端内存，因国外大厂短期内停止生产、国内产能释放需时间。内存缺货目前未完全发酵，但预计1个月内将对手机、电脑、灯具等消费电子品类造成显著冲击，客户普遍谨慎悲观，暂无其他利好消息。

Q: 储能领域发展对功率需求的拉动、影响及弹性如何？

A: 储能领域对碳化硅的带动较大，长期赛道无问题；短期受政策影响显著，如澳洲政策补贴可达七八十，若澳洲工党执政会有大量补贴，正常年增长约20%，政策刺激下可能短期快速增长；国外多个市场政策对储能影响明显，短期内需关注政策研究以判断是否快速增长及对公司财务的短期影响。

Q: 储能市场对碳化硅的需求是否较大？此前储能以IGBT为主，当前是否转向碳化硅？

A: 充放电环节对IGBT、碳化硅使用更多，且碳化硅是增量。

Q: 碳化硅未来是否会逐步替代IGBT？

A: 碳化硅此前因聚焦车规级导致应用进展不顺利，车规级、OBC及国内充电桩等产品质保期短。但AI电源等高端电源领域需求大，尤其是北美缺电背景下，台达等客户更认可英飞凌的碳化硅产品，因其效率最高；AI电源24小时工作，效率微小提升即可弥补成本差距并带来可观价值，因此高端电源领域碳化硅需求大，这部分前景较好。

Q: 储能领域对功率器件的需求是否以欧美系为主，国内公司是否有机会切入？

A: 国内功率器件在储能领域的渗透率约20%，国外品牌与国内价格差距约20%，部分客户因可靠性考虑选择国外，但价格差异可覆盖，国产化渗透率有望逐步提升，明后年或达40%。

Q: 储能需求是否无法量化，且更多受政策驱动？

A: 政策对碳化硅整体是利好，目前碳化硅主要应用于汽车、AI电源及新能源领域，在替代IGBT模块过程中采用混合方案，即部分部位用IGBT，部分用碳化硅MOS管或二极管，因只用碳化硅性价比未充分发挥且成本偏贵，整体仍处于渗透过程中。

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