华润微(SH688396) 华润微正在加速推进VFeRAM的技术迭代,未来几年将重点突破:
存储密度提升:目标达到1Tb/芯片,让存储更密集读写速度优化:目标降至5ns以内,更快的响应速度成本降低:通过材料创新(如氧化铪锆HfZrO)和工艺优化,将成本从目前的Flash的2-3倍降低到更具竞争力的水平华润微(SH688396) 华润微正在加速推进VFeRAM的技术迭代,未来几年将重点突破:
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