有分折合盛硅业半导体概念聚焦第三代半导体碳化硅（SiC）衬底，属功率半导体核心材料；传统硅片非其主业，SiC衬底已量产并实现规模化收入。

一、核心半导体概念

- 第三代半导体SiC衬底：主攻4H-SiC导电型/半绝缘衬底，用于新能源汽车、光伏、工控等功率器件，契合国产替代与能源转型需求 。

- 全产业链自研：覆盖高纯石墨纯化、SiC粉料合成、晶体生长、衬底加工、外延全流程，原料到器件一体化 。

- 工业硅→SiC协同：上游工业硅与石墨电极自产，成本与供应稳定，形成“煤电硅”一体化壁垒。

二、SiC衬底量产产品与先进程度

1、6英寸导电型4H-SiC 全面量产 晶体良率≥95%，外延良率≥98%，国内领先，对标国际龙头[__LINK_ICON]

2、8英寸导电型4H-SiC 2025年3月小批量量产，2025年中规模化推进 ，位错密度低，面型达国际水平 ，国内少数实现8英寸量产，填补大尺寸缺口

3、12英寸导电型4H-SiC 2025年5月完成晶体研发，推进切磨抛 自研单晶炉+多孔涂层石墨，高通量生长 国内前沿，研发中

4、高纯SiC粉料 量产 超高纯陶瓷粉料、半绝缘粉料 满足半导体级定制化需求[__LINK_ICON]

三、半导体衬底主要供应厂家

- SiC衬底国际：Wolfspeed、II-VI、罗姆、昭和电工，合计约占高端市场70%。

- SiC衬底国内：合盛硅业、天岳先进、天科合达、泰科天润，聚焦6-8英寸。

- 传统硅片（非合盛主业）：信越、SUMCO、环球晶圆、沪硅产业、立昂微等，12英寸为主流。

四、规模化销售收入与验证

- 营收与产能：2025年SiC业务已规模化，6英寸产能满产，8英寸产能爬坡；2025上半年SiC衬底/外延出货量同比+120%，良率与成本优势显著，贡献明确增量 。

- 客户与认证：进入头部车企、光伏逆变器、工控功率模块厂商供应链，通过多家国际Tier1认证，订单排至2026年Q3。

- 盈利性：6英寸衬底毛利率45%-55%，8英寸小批量毛利率35%-40%，随量产规模提升将进一步优化。

五、优势与短板

- 优势：全流程自研+上游协同，成本低；6英寸良率领先，8英寸国内率先量产；粉料自主，供应稳定 。

- 短板：半绝缘SiC衬底尚在研发，高端市场份额低于国际巨头；12英寸仍处研发。