存储芯片暴涨来源于HBM价格暴涨，HBM相当于多块DRAM内存条堆叠，本质上是HBM稀缺才导致DRAM及其下游一系列低端存储暴涨。所以抓住暴涨的核心应该去抓住暴涨的源头HBM板块。精测电子近期有明确回复hbm技术运用，12月31号又用订单证实，所以这一波精测电子比没有明显概念沾边的同行中科飞测、长川科技涨幅更大更快。思来想去这波精测电子应该还有相当大的空间，应该珍惜筹码，享受类似江波龙底部启动的涨幅精测电子(SZ300567)

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