钧崴电子此次以26亿日元收购日本Flat Electronics公司，核心目标是获取高精密薄膜电阻技术，以强化其在AI算力产业链中的竞争力。以下从技术互补性、工艺突破、战略协同及行业影响等维度展开分析科普技术互补性：填补薄膜电阻领域空白！
1，钧崴原有技术强项！
钧崴电子深耕**电流感测精密电阻**领域，其核心优势在于：
合金电阻技术NRF系列超低阻值电阻（0.5mΩ~10mΩ），满足英伟达H20 GPU的700W+高功率密度需求，低温漂（TCR）特性保障电流精度。
专利储备拥有无基材电阻结构专利（CN221175882U），通过消除基板提升散热效率并降低阻值；层压贴合、薄膜溅镀等工艺技术。
2.Flat Electronics的技术价值！
标的公司填补了钧崴在**薄膜电阻领域的技术缺口：
高精度特性：薄膜电阻精度达±0.01%，温度系数低至±2 ppm/°C，长期漂移<0.05%，适用于AI服务器电源模块的电压分配、温度补偿等关键场景。
工艺积累：日本企业在薄膜沉积、光刻微影（黄光制程）等精密工艺上有深厚积淀，可提升钧崴在纳米级电阻制造中的良率控制能力。
关键技术指标突破！
薄膜电阻在AI服务器电源中的核心价值体现为三大性能优势：
性能指标：薄膜电阻，普通电阻，对AI服务精度高达±0.01%通常±1%~5%精确电压分配，减少能量损耗 ，温度系数(TCR)，±2 ppm/°C，±50~200 ppm/°C，高温下电流检测稳定性提升，长期稳定性，漂移<0.05% 、漂移>0.5% ，延长电源模块寿命 ，热损耗，显著降低，较高优化系统能效10%以上。
钧崴通过收购获得上述薄膜电阻性能，直接增强其在高端电源市场的竞争力！
三、生产工艺与创新协同：
1.技术整合方向：
材料工艺：钧崴的低电阻率合金材料技术结合Flat的薄膜沉积工艺，可开发新型复合电阻材料，兼顾高精度与高功率承载。
自动化生产：钧崴自主开发的产线自动化系统，与Flat的精密制程结合，有望降低薄膜电阻生产成本（当前薄膜电阻成本高于普通电阻30%以上）。
2. 专利协同：
无基材电阻+薄膜技术：钧崴的无基材专利（提升散热）与Flat的薄膜微影技术结合，可推动更薄、更高功率密度的电阻结构落地。