硅通孔（TSV）技术作为三星第六代12层HBM4的关键组成部分，在实现高效芯片堆叠和互联方面发挥着不可替代的作用。
技术原理方面，TSV通过在硅芯片上垂直打孔并填充导电材料，形成贯穿芯片的电气连接通道，使DRAM芯片能够以三维堆叠方式构建高容量内存模块。回溯历史，三星早在2010年就推出了首款3D TSV DRAM模块，通过堆叠多个芯片将存储容量提升至64GB，并成功应用于DDR4服务器内存领域。
性能优势显著，与传统引线键合技术相比，TSV技术能够大幅提升数据传输速度，同时有效降低能耗。三星半导体通过TSV实现了DRAM芯片以极小厚度堆叠，并通过硅通孔完成上下芯片的精密电气连接，这种先进工艺在3D封装中展现出更高的集成度和稳定性。
在即将发布的HBM4内存中，三星采用12层堆叠工艺并集成4纳米逻辑芯片，TSV技术在此基础上进一步优化了芯片间的互联效率，为该产品计划于2025年底量产、抢占AI市场份额奠定了技术基础。
国内TSV技术布局：晶方科技的领先地位值得注意的是，在全球TSV技术竞赛中，国内企业也在积极布局。晶方科技作为专注于晶圆级TSV先进封装技术的领军企业，已经成为中国晶圆级硅通孔封装技术的开拓者。
技术定位上，该公司专注于集成电路先进封装技术服务，其工艺特点属于'中道'工艺，有效填补了传统前道晶圆制造与后道传统封装之间的产业空白。
核心能力方面，晶方科技同时拥有8英寸和12英寸TSV封装能力，并已建立国内首条300毫米'中道'TSV规模化量产线。这一技术优势使得其能够利用TSV技术实现更小的外形尺寸、卓越的性能表现与较低的总成本。
前沿布局尤其值得关注，晶方科技已拥有HBM高带宽内存相关的TSV、微凸点、硅基转接板、异构集成等关键技术储备，并密切关注6G通信封装需求。
技术展望：TSV在先进封装中的未来总体而言，晶方科技凭借在TSV技术领域近二十年的持续深耕，已从行业开拓者成长为具备全面量产能力和广泛市场应用的领先企业。面对HBM、6G等新兴领域的强劲需求，公司正积极跟进技术发展前沿，不断拓展TSV技术的应用边界，展现出持续发展的巨大潜力。
随着三星HBM4的量产临近，TSV技术在高端内存领域的应用将进入新的阶段，这也为掌握相关核心技术的企业带来了重要发展机遇。