杭州士兰微电子股份有限公司

SiC项目进展公告本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。2024年，杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称“公司”）加快推进SiC芯片技术研发及量产，具体进展如下：

2024年，公司加快推进“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形成月产9,000片6吋SiC MOS芯片的生产能力。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好，随着6吋SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。目前，公司已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。同时，公司加快推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至2024年底，士兰集宏8吋SiC mini line已实现通线，公司Ⅱ代SiC芯片已在8吋mini line上试流片成功，其参数与公司6吋产品匹配，良品率明显高于6吋。士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在2025年4季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。

当前，在国家政策持续支持，以及下游电动汽车、新能源、算力和通讯等行业快速发展、芯片国产替代进程明显加快的大背景下，士兰微电子将加快实施“一体化”战略，持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS传感器、包括SiC、GaN在内的第三代化合物半导体等方面的投入，大力推进系统创新和技术整合，积极拓展汽车、新能源、工业、通讯、大型白电、电力电子等中高端市场，不断提升产品附加值和产品品牌力，持续推动公司整体营收的较快成长和经营效益的提升，努力为国家集成电路产业发展做出贡献。

特此公告。

杭州士兰微电子股份有限公司

董事会2025年4月8日